MOSFET 예비레포트/결과레포트

목차

1. 서론

2. JFET
2.1 구조 및 특성
2.2 특성곡선 및 파라미터
2.3 바이어스

3. MOSFET
3.1 구조 및 특성
3.2 E-MOSFET
3.3 D-MOSFET

4. 증폭기로서 FET

본문내용

1. 서론

전계효과 트랜지스터(FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전기장에 의하여 전자 또는 양공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이다. 트랜지스터의 분류 상 바이폴라 트랜지스터와 대비되어 단극 트랜지스터(unipolar transistor)로 분류된다.

전계효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되므로, 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스(gm)가 낮다는 문제가 있지만 게이트 전류가 거의 0인 장점이 있고 구조가 접합형 트랜지스터보다 고밀도 집적에 적절하므로 현대의 집적 회로에 주류가 되고 있으며, 논리 회로 소자의 집적 회로 외에 아날로그 스위치/전자 볼륨에도 응용된다.

BJT는 전류제어 소자이다 FET는 전압제어 소자로서 게이트와 전원 단자 사이의 전압으로 전류를 제어한다. FET는 입력저항이 매우 높은 장점이 있다. FET는 비선형적인 특성 때문에 증폭기로서 입력저항이 높은 값이 필요한 경우를 제외하고는 BJT처럼 널리 사용되지 않는다. 그러나 저전압의 스위칭에서는 BJT보다 빠르기 때문에 많이 사용된다.

FET의 종류로서는 JFET, MOSFET, IGBT가 있는데 이번 레포트에서는 JFET와 MOSFET에 대해 알아보자.

2. JFET

JFET는 pn접합을 역바이어스시켜 채널전류를 제어하는 FET이며, 구조에 따라 n채널, p채널로 구분한다.

2.1 구조 및 특성

n채널의 경우, 도선은 n채널의 각 끝에 연결되어 있고, 드레인은 위쪽 끝에, 소스는 아래쪽 끝에 붙어 있다. 두 개의 p형 영역은 n형 물질내에 확산되어 채널을 형성한다. 그리고 이 두 개의 p 영역에는 게이트단자가 연결되어 있다. 간단히 표현하기 위해, 게이트 단자가 p 영역의 한쪽에만 연결된 것으로 표현한다.

드레인-소스 사이에 Vds 전압을 공급하여 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 한다.

참고 자료

Thomas L.Floyd 전자회로
http://minhaep.tistory.com/entry/%EC%A0%84%EC%9E%90%EC%8B%A4%ED%97%9814-JFET-%ED%9A%8C%EB%A1%9C-%EC%84%A4%EA%B3%84%ED%95%98%EA%B8%B0
http://www.learningaboutelectronics.com/Articles/N-Channel-JFET-characteristics-curve
https://www.theengineeringprojects.com/2018/01/introduction-to-jfet.html
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=dolicom&logNo=10084139379&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.co.kr%2F
http://www.amkor.co.kr/archives/1496
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=applepop&logNo=220926446937
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=sangbeomji&logNo=220661337456&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.co.kr%2F