아주대학교 논리회로실험 실험9 예비보고서

목차

없음

본문내용

1. 실험목적
- 반도체 memory의 기본적인 동작원리를 이해한다.
- 16-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.

2. 이론
1) 램 : 기억된 정보를 읽기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수도 있는 메모리로써 컴퓨터의 주기억 장치로서 가장 널리 사용되는 대규모 집적 회로(LSI) 기억장치이다. 데이터 보존 방식에 따라 DRAM(동적 램)과 SRAM(정적 램)으로 나눈다.
2) SRAM : 플립플롭으로 구성되어 있으며 전원이 연결되 있으면 저장된 데이터를 계속 유지하고, Read/Write 즉 읽고 스는 시간이 DRAM보다 빠르다. 한 비트당 일반적으로 4개에서6개의 트랜지스터로 이루어져 있다.

위 사진은 SRAM의 메모리 셀 구조를 나타낸 것이다. 왼쪽에서 가운데 보이는 것은 RS 플립플롭을 나타낸다. 구조상 회로도와 오른쪽 RS 플립플롭 진리표에 따라 S=1일 때 R/W’=0 이면 저장된 비트가 출력될 것이고 S=1일 때 R/W’=1 이면 데이터 입력단자에 있던 비트가 전송되어 저장될 것이다.

참고 자료

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