4PP 예비보고서

소개글

논문형식으로 작성하였으며, 학부 4학년 실험입니다. A+ 받았습니다.

목차

I. 서 론
II. 본 론
III. 결 론
Ⅳ. 참 고 문 헌

본문내용

우리나라의 기간산업의 하나인 반도체 산업은 날이 갈수록 발전하고 있다. 반도체 특성을 측정하기 위해서, 저항의 측정이나 다른 종류의 측정방법이 필요할 것 이다. 우리가 흔히 사용하는 측정기인 기존의 2 Point Probe 방식은 두개의 Probe를 조절해 사용하기는 편리하지만, 정확한 값을 측정하기에는 무리가 있다는 단점이 있다. 이러한 단점을 보완한 것이 바로 4PP인데, 반도체의 저항, 특히 절연체 위에 형성된 금속 박막의 저항율(면저항)을 측정하는데 있어 가장 널리 사용되는 방법이라고 한다. 우리는 이 실험을 통하여 4PP에 대해 알아 보려고 한다.


I. 서 론
현재 우리가 살고 있는 세상은 현대의 과학이 발전하면서 더 풍요로워지고 더 나은 삶을 누릴 수 있었다고 해도 과언이 아닐 것이다. 전자, 전기기술의 발전으로 우리는 더 작고 간편한 전자기기를 일상생활에서 사용 할 수 있게 되었고, 이 모든 것은 여러 기술들의 발전이 이루어낸 성과라고 할 수 있겠지만, 특히 반도체 기술 발전이 크게 한 몫을 했다고 생각한다.

Figure 1. 반도체 공정
이런 반도체는 Si(규소)와 다른 물질들을 섞어서 만든다. 반도체 공정을 하기위해선 반도체의 특성에 대해서도 알아야 할 것인데, 반도체의 저항도 이런 특성의 한 종류 일 것이다. 반도체의 저항(면저항)을 측정하기 위해서는 기존의 2 Point Probe(2PP) 측정보다 4 Point Probe(4PP) 측정을 사용하는데, 이 것은 2PP측정보다 4PP측정이 반도체의 면저항을 측정 할 때, 더 나은 작용을 하기 때문일 것이다. 우리는 이 실험을 통하여 반도체(Si)의 면저항을 측정하는 4PP Measurement에 대해서 알아 볼 것이고, 그 것의 원리와 활용도에 대해서 직접 실험을 통하여 확인해 보게 될 것이다.

참고 자료

Harald Ibach, “Solid-state Physics”, ㈜사이텍미디어, 2000, pp.167-170
이현용, “반도체 물성공학”, 전남대학교출판부, 2006, pp.224-226
http://kin.naver.com/open100/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=265014&qb=67CY64+E7LK07J2YIOyggO2VrQ==&enc=utf8&section=kin&rank=2&search_sort=0&spq=0&pid=gQL0KB331zZssvrRDdwssv--350366&sid=TfNyoKsv800AAEO5BgM