BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성

소개글

여기서 베이스 전류의 경우 에미터 전류의 (1-α)배와 같다. 전압이득 Av = -(Rc//Rl)/re +Re이다. 결국 베이스에서 컬렉터로의 전압이득은 에미터의 총 저항에 대한 컬렉터의 총 저항의 비와 같다. 이 말은 어떤 증폭기 회로에도 적용된다.
직류 바이어스 전류들과 전압들을 교란하지 않기 위해서, 내부저항 Rsig인 전압원 Vsig로 나타낸 증폭될 신호는 큰 커패시터 Cc1을 통하여 베이스에 접속된다. 이를 결합 커패시터라고 하는데 직류를 차단하면서 관심 있는 모든 신호 주파수들에서 완전한 단락 회로로 동작한다.

목차

1. 실험목적
2. 기초이론
3. 시뮬레이션
4. 예비문제

본문내용

1. 실험 목적
공통 에미터(CE)의 구성을 알아 본다.
베이스 총 전류에 대한 컬렉터 총 전류의 비 β에 대해 이해한다.
커패시터 결합 BJT 공통 에미터 증폭기의 소신호 이득, 입력 저항 및 출력 저항을 실험한다.


2. 기초 이론

공통 에미터(CE) 구성은 모든 BJT 증폭기 회로들 중에서 가장 널리 사용되는 것이다.

공통 에미터 증폭기의 구성은 위와 같다. 에미터에 접지를 설정시키는 것이다. 오른쪽 그림은 등가회로를 나타낸다. 공통 에미터 증폭기의 전압 증폭률은 으로 표시되는데 -값으로 인해서 출력이 반전 되어서 나타나는
것이다.
으로도 나타낼 수 있다.
또한 증폭기 입력에서 Ri = Rb//Rib, 이때 Rib = Vi/Ib이다. 여기서 베이스 전류의 경우 에미터 전류의 (1-α)배와 같다. 전압이득 Av = -(Rc//Rl)/re +Re이다. 결국 베이스에서 컬렉터로의 전압이득은 에미터의 총 저항에 대한 컬렉터의 총 저항의 비와 같다. 이 말은 어떤 증폭기 회로에도 적용된다.
직류 바이어스 전류들과 전압들을 교란하지 않기 위해서, 내부저항 Rsig인 전압원 Vsig로 나타낸 증폭될 신호는 큰 커패시터 Cc1을 통하여 베이스에 접속된다. 이를 결합 커패시터라고 하는데 직류를 차단하면서 관심 있는 모든 신호 주파수들에서 완전한 단락 회로로 동작한다.

공통 에미터(CE) 전류이득 β : 트랜지스터 파라미터들 중의 하나는 공통 에미터 전류 이득 βF 또는 단순히 β이다. 그림에서 Q로 표시된 활성 영역의 한 점에서 동작하는 트랜지스터를 고려하자. 즉 그 점은 컬렉터 전류 IC, 베이스 전류 IB, 그리고 컬렉터-에미터 전압 VCEQ를 갑는다. 베이스 총 전류에 대한 컬렉터 총 전류의 비로 β를 정의한다.

참고 자료

없음