15Etching

소개글

공학 레포트

목차

#. Etching ?

#. Wet etching?

- 기본과정
- SiO2 식각
- Si3N4 식각
- Si 식각
- Al 식각
-GaAs 식각
- Wet etching 장단점
#. Dry etching ?

- 기본과정
- 스퍼터 에칭
- 플라즈마 에칭
- RIE
- Dry etching 장단점

#. Wet etching vs
Dry etching

본문내용

#. 박막이 형성된 웨이퍼 위의 불필요한 부분을
제거하여 회로 패턴이 드러나도록 하는 과정.
#. 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질
(습식)이나 반응성 GAS(건식) 를 사용.
#. 결정면에따른 식각 속도에 따라 이방성 식각
과 등방성 식각으로 나눌 수 있다.


1. Wet etching (습식식각)
산 계열의 화학약품으로 웨이퍼 표면의
불필요한 부분을 깎아 내는 방법.
2. Dry etching (건식식각)

GAS를 공급해 반응을 일으켜서
증기압이 높은 물질 또는 휘발성 물질을 생성시킴으로써 식각하는 방법.


#. 습식식각은 액상의 식각용액에 웨이퍼를
넣어, 화학적 반응에 의해 표면을 식각해 내는
방법이다.
#. 식각하고자하는 재료(막질)에 따라서?
사용되는 화학물질(식각용액)이 달라진다.
#. 표면 연마, 웨이퍼 세척
최소 선폭 3㎛ 이상인 반도체소자 제작시 사용.

참고 자료

없음