[반도체공학] 결정체의 성질과 반도체 결정성장

등록일 2002.09.07 한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 500원

목차

1.1 반도체 재료
■ Device = energy converter (Active device)
■ 반도체

1.2 결정격자
1.2.1 주기적 구조
1.2.2 입방격자
1.2.3 면과 방향

1.3 반도체 결정의 성장
1.3.1 시작시료
1.3.2 단결정 주괴의 성장
1.3.3 웨이퍼
1.3.4 도핑

1.4 에피텍셜 성장
1.4.1 액상 에피택시(Liquid-Phase Epitaxy: LPE)
1.4.2 기상 에피택시(Vipor- Phase Epitaxy: VPE)
1.4.3 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy: MBE)

※ 참고문헌

본문내용

■ 반도체
① 정의
㉮ 주어진 환경 여건에 따라 도체도 될 수 있고 부도체도 될 수 있는 물질
㉯ 반도체는 금속과 절연체와의 중간정도의 전기 전도도를 갖는 일군의 물질
→ 이들 물질의 전기 전도도가 온도 변화, 광학적인 여기 상태 및 불순물의 함유량에 따라 크게 변화할 수 있다. 즉, 전가적 성질의 융통성을 가지고 있다.
② 성질
㉮ 전기 저항률: 10-4Ω㎝∼1010Ω㎝
㉯ 전기저항의 온도계수: "부" 온도계수 → 온도가 올라갈수록 전기저항이 내려간다.
㉰ 불순물에 따라 전기저항 변화: Device를 논할 때 중요
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