[반도체] Cleaning process

등록일 2002.08.28 한글 (hwp) | 17페이지 | 가격 3,000원

소개글

반도체 공정을 부분으로 도움이 될 것으로 보입니다.

목차

*Introduce

*RCA Cleaning
1. SC1 (Standard Clean-1, APM)
2. SC2 (Standard Clean-2, HPM)
3. Piranha (SPM)
4. DHF (Dilute HF)

*Cleaning Mechanism
1. Particle Removal Mechanism

*Issues
-3R (Reduce, Recycle, Replace) Cleaning

*Analysis Methods

*Ozone Cleaning
1. DI water / Ozone
2. Acidic Solution / Ozone
*Equipments

*New Cleaning

*Dry and Rinse

*Next Trends

본문내용

모든 웨이퍼 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 웨이퍼 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 웨이퍼 세정 공정은 웨이퍼 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 비율로 감소시키는 것이 그 주된 목적이다. 따라서 웨이퍼 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 반도체 소장 공정 중 웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 이런 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여일괄 처리 공정으로 세정된다.
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