MOS diode 설계

소개글

ideal MOS구조를 설계하는데 필요한 Si의 도핑농도와 메탈의 electrode를 설계한다

목차

Ⅰ.서론
▶MOSFET 의 구조 및 특성
▶ ideal MOS diode의 조건 및 Energy band diagram
▶MOSFET의 3가지 다른 영역의 band diagram
▶ 일반적인 MOS diode의 공정과정
Ⅱ. 본론
▶Metal의종류 선택과 선택 이유
▶Doping 농도의 계산과정
Ⅲ. 결론
▶결론 및 논의

본문내용

Ⅰ.서론

MOSFET은 Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 의 약자로써 금속막, 산화막, 반도체영역으로 구성된 트랜지스터의 일종이다. MOSFET에는 N채널 MOSFET 과 P채널 MOSFET이 있다. MOSFET은 디지털 회로에 광범위하게 쓰이는데 스위칭 기능이 매우 뛰어 나기 때문이다. 이는 산화막에 의해 채널로부터 절연되어 있기 때문에 gate단에는 전류소모가 없기 때문이다.
▶MOSFET 의 구조 및 특성

MOSFET은 gate, source, drain 3개의 터미널로 구성된다. MOSFET 의 source와 drain은 실리콘 표면에 생성되며 gate의 양쪽에 배치 되게 된다. MOSFET은 중간층에 절연막이 있다는 것이 특징이다. 그래서 gate에 어떤 (+),(-)가 걸리더라도 전류가 흐를 수 없다. 이는 즉, 입력 임피던스가 크다는 것을 뜻하며 약 이다. 이는 성능면에서 좋은 장점으로 볼수 있다. MOSFET 은 gate의 전압수위에 따라서 제어되는데 gate의 밑 부분을 채널이라 하며, 채널의 전도성은 gate에 인가되는 전압에 의해 제어 된다.
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)는 모스 축전기에 의한 전하농도의 변화에 기초를 두고 있다. 두개의 단자(소스와 드레인)는 각각 분리되어 고농도 도핑된 영역에 연결되어 있다. 이런 영역은 P형이나 N형이 될 수 있지만 두개는 반드시 동일한 형태이어야 한다. 고농도 도핑 영역은 일반적으로 도핑 형태에 따라서 `+`로 표시된다. 이 두 영역은 이와 반대 형(type)으로 도핑된, 몸체라고 알려진, 영역에 의하여 분리되어있다. 이 영역은 고농도 도핑이 아니며 `+` 기호가 없다. 활성 영역은 모스 축전기를 구성하며 세번째 전극, 즉 게이트가 되어 몸체 위에 있으며 산화층에 의해 다른 모든 영역과 절연되어 있다.

참고 자료

없음