반도체공학(Ideal MOS Diode의 조건을 만족하기 위한 도핑 농도 설계) 프로젝트 과제

목차

1. 설계주제

2.Ideal MOS diode의 조건 및 Energy band diagram
1) MOS와 BJT의 비교(Ideal)
2) Ideal MOS diode의 전압 전류특성
3) Ideal MOS diode 의 Energy band diagram

3.일반적인 MOS diode의 제작 공정 - 서론
1) 설계규칙
2) 제작공정

4.Metal종류의 선택과 선택이유(n –Si기판)

5.도핑농도의 계산과정 - 본론 (Dopan는 상온에서 completely ionize 된다고 가정)

6.결과에 대한 총론 - 결론

본문내용

1. 설계주제
MOS diode 의 특성을 이해하고, ideal MOS 구조를 설계하는데 필요한 Si의 도핑농도와 metal electrode를 설계한다.
- Metal-SiO2-Si 을 이용하여 Ideal MOS diode 를 제작하고자 할 때, n -Si 기판에 대하여 metal 의 종류를 선택하고, ideal MOS diode 의 조건을 만족하기 위한 n -Si 의 도핑농도를 설계하시오.
(metal의 workfunction은 text book이나 인터넷 검색을 통해 알아볼 것.)

<중 략>

6.결과에 대한 총론
텀프로젝트를 진행 하면서 알게 된 중요한 점은 금속의 일함수에 따른 Fermi level의 이동이 반도체를 설계하는데 있어서 가장 핵심적인 부분일 것이라고 생각된다.
실제로 제조공정에서 게이트 부분에는 금속보다는 폴리실리콘을 더 많이 사용한다고 한다.
실험을 처음 시작했을 때 4번의 금속설계 부분에서 반도체와 접합할 수 있는 금속은 어떤 것으로 할지 몰라서 당황했다. 평소 공부하면서 배우던 금을 이용할까 하다가 인터넷을 뒤져보면서 찾은 금속들이 위와 같은 금속들이다.

참고 자료

없음