PRAM의 연구동향

*철

개인인증 판매자스토어

최초 등록일: 2010.03.30
최종 저작일: 2009.09; 16페이지/ MS 파워포인트; 가격 1,500원

다운로드

장바구니

상세정보
자료후기 (0)
자료문의 (0)
판매자정보

소개글

차세대 메모리 소자인 PRAM에 대한 이론, 작동 원리와 최근 연구동향

본문내용

Ⅰ. PRAM의 개발 필요성
DRAM의 소형화가 더이상 어려울 것이라는 전망
비휘발성, 고속, 고집적화 요구
P램은 비휘발성이며 고집적이 가능하다는 장점
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (1)
칼코게나이드(Ge2Sb2Te5: GST)합금이라고 하는 특수한 얇은 박막 소재를 사용
메모리 소자는 칼코게나이드 화합물과 저항 소자로 구성
인가 전압을 가하는 것으로
비결정질 상태와 결정 상태의 변화
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (2)
비결정(amorphous) 상태에서는 저항치가 높아지고, 결정(crystal) 상태에서는 저항치가 낮아지는 특성
2개의 상태를 제어해서 바꾸는 것으로, “1”과 “0”의 논리를 기억 보유
전기적 가열로 상변화/ 100ns 이하 속도
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (2)
◀결정 상태와
비결정 상태
변환 모식도
◀각각의 TEM image▶
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (3)
결정화된 셋(SET) 상태에서는 낮은 저항의 금속과 같은 거동
비정질화된 리셋(RESET) 상태에선 저항이 높음
리셋 상태에서 문턱전압 이상의 전압이 인가되면 특성이 반전
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (4)
결정 상태로부터 전류를 높여 가면, 일정 값을 넘은 시점에서 비정질 상태
비정질 상태로부터 전류를 높여 가면, 다가 다시 비정질 상태
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (5)
정보기억(비정질상태): 기록층의 일부분을 전기적 가열 또는 빛 조사 방법으로 녹인 후 급속하게 냉각
정보삭제(결정상태): 상변화를 일으키는데 필요한 일정 시간 동안 결정 온도 보다 약간 더 높은 온도를 인가

참고 자료

특허청, ‘차세대 메모리, P램 특허출원 활발’

♦ 특허청, ‘특허로 본 차세대 반도체 선두주자는 P램’

♦ ETRI , ‘PRAM 기술 전망’

이 자료와 함께 구매한 자료

PRAM(Phase change RAM)의 동작원리와 개발동향 16페이지
한국사회문제 - 소득 양극화로 인한 교육격차 (실태, 현황, 문제점, 원인 등등 ) 생각위주 분석 4페이지
우리 사회의 문제 : 빈부격차 (모두가 잘사는 나라, 그 곳은 유토피아인가) 3페이지
방송예능프로그램구성안 13페이지
라트라비아타를 감상하고 (음악감상문) 2페이지

주의사항

환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류	중복자료	저작권 없음	설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우	다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함)	인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우	자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우

이런 노하우도 있어요!더보기

찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료 20페이지

Introduction - 주제 선정 이유 - Q A 메모리 반도체의 개발 동향 ... 올리는 공정 기술을 확보 • 고집적화에 따른 간섭현상 해결을 위해 구조적 연구가 ... DRAM - NAND FLASH 차세대 메모리 반도체 - MRAM - PRAM
메모리의 개념 과 종류 및 특징 14페이지

개발동향 1. ... NANA-type, NOR-type), 전압인가에 따라 ‘상’이 변하는 성질을 활용한 PRAM ... ReRAM 1960년대부터 ReRAM 소자가 연구 되었으나, 많은 기술적인
차세대 반도체 메모리 소자와 ReRAM의 메커니즘과 응용 실험 레포트 7페이지

동향 및 향후 개발 방향, 박재근 외 1명, 2006 [3] 전극형 상변화 ... PoRAM의 구조 PRAM PRAM은 Flash memory에 비해 빠른 ... PRAM의 구조 FeRAM FeRAM은 DRAM의 연장선에 존재하는 메모리
[반도체 공정 A+] 차세대 메모리 기술 레포트 11페이지

FeRAM 동작 원리 출처 [1] PoRAM 최근 연구 동향 및 향후 개발 ... 방법과 두 번째로 집적도를 더 높이는 방법의 연구가 필요하다. • ReRAM ... switching 영역을 매우작게 만들어서 불확실성을 감소시키는 방법이 연구되고
비휘발성 차세대 메모리 13페이지

PRAM의 최근 기술동향 국내에서는 삼성이 지난 VLSI 심포지엄에 업계처음으로 ... PRAM을 구성하는 한 Cell은 그림과 같이 두 가지 상태를 가지게 된다 ... 유력하게 대두되고 있는 소자로는 ReRam(Resistance RAM), PRAM
RAM(Random Access Memory) - DRAM, SRAM, FeRAM(FRAM), MRAM, PRAM 64페이지

2.3.10 Embedded Memory Logic 2.4 DRAM 기술 동향 ... Spin Transfer Torque, STT) 기록방식이 대두되어 많은 연구가 ... 메모리 어레이 설계 기술 및 새로운 개념의 메모리 셀의 착안 등에 대한 연구들이
Chalcogenide-based memory application(칼코지나이드) 8페이지

-19 유비쿼터스용 유니버설 메모리 기술 / 유병곤 외 2인 / 전자통신동향분석 ... PRAM은 칼코지나이드 합금에 대한 전류나 전압 인가에 의해 발생하는 Joule ... 태양전지 / 윤재호 / 물리학과 첨단기술 / 2008 / p20-24 PRAM
RAM(Random Access Memory)에 대한 모든 자료 입니다.(RAM의 의미, 종류와 특징, 향후 개발 방향 등) 16페이지

비휘발성 메모리의 임베디드 응용 가능성 12 파급효과 13 산업동향 ... 힘입어 M R비가 월등히 크고 집적도가 큰 TMR 방식을 응용한 MRAM 연구 ... 2 SRAM 3 FeRAM 5 MRAM 6 PRAM
유비쿼터스용 차세대 메모리 기술 (MRAM, FeRAM, PRAM) 9페이지

원리와 간단한 구조 및 최근의 기술 동향에 대해 살펴보고, 향후 유니버설 ... 기본적인 구조에 대해서 설명하고 그 최근의 기술 개발 동향을 살펴본다.> ... 최근 삼성전자 등 국내외 관련 연구기관은 현재 256Mb급 시작품 연구를
FeRAM 19페이지

및 가능성 ”, 한국과학기술정보연구원 , 2005 유병곤 외 2 명 , ... “ 유비쿼터스용 유니버설 메모리 기술 (MRAM, FeRAM, PRAM), ... 단계에 접어든 FeRAM 의 최신 기술 동향 ”, EP C , 2003
칼코지나이드 17페이지

이러한 방련된 연구개발 동향에 대해 자세하게 분석하면 다음과 같다. ... PRAM은 칼코지나이드 합금에 대한 전류나 전압 인가에 의해 발생하는 Joule ... 메모리 분야 9 박막형 태양 전지 10 의료 기구 소재 11 현재 개발 동향
PRAM(Phase change RAM)의 동작원리와 개발동향 16페이지

타 Memory와 PRAM의 특성 비교 Ⅳ. PRAM의 개발동향 Ⅴ. ... multi-bit 구현을 위한 메모리 어레이 설계 기술에 대해서 활발한 연구를 ... PRAM의 개발동향 (국외) • ECD-Ovonics사를 창업한 S.R.
차세대 반도체 정보기억장치 7페이지

특허 출원인 분석을 통하여 각국의 연구개발 동향을 살펴보면, 각국의 많은 ... 등의 여러 분야의 연구력이 집중되어야 할 뿐만 아니라 특허정보의 확산과 ... 산업에서도 주도권을 잃지 않도록 하기 위해서는 정부뿐만 아니라 학계, 연구소
차세대 비휘발성 메모리 12페이지

서 론 기술 동향 FeRAM(Ferroelectric RAM: ... Floating Gate Memory: 나노 부유 게이트 메모리) 산업 동향 ... 현재 연구되고 있는 차세대 메모리들은 반도체 메모리가 주축을 이루며, 현재의
ReRAM(Resistive Random Access Memory)의 동작 특성 및 개발 현황 21페이지

개발방향 Chalcogenide cell for ReRAM 기존 국내외 연구 ... No.7/8, July/August 2004 이전국, 차세대 반도체 기술동향및 ... 비슷한 구조를 가지나 PRAM이 상변화를 위해 높은 전류를 요구하는 것에
버닝레이저를 이용한 CD의 광학적 원리 이해 4페이지

Reference [1]PRAM 기술 전망, ETRI, 전자통신동향분석 제20권 ... 반사율 실험은 물리학과 신소재연구실에 있는 cary500으로 실험하였다. ... 반사율 실험은 물리학과 신소재 연구실에 있는 cary500이라는 광학 측정