전자회로실험 설계2 결과보고서

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위에서 언급한 것처럼 시뮬레이션 nmos, pmos의 parameter가 실제 실험과 다르기 때문에 다른 값이 나온 것 같다. 그러나 일정 전압을 넘어가면 왜곡이 발생하는 현상은 동일하고, gain이 2 이상으로 설계조건을 만족시켰기에 성공적인 실험이다.

참고 자료

Behzad Razavi, Fundamentals of Microelectronics, wiley.

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