전자기적특성평가 다이오드보고서

소개글

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목차

1. 목적
2. 이론
3. 실험장치 및 방법
4. 실험 결과
5. 실험 고찰
6. 참고문헌

본문내용

1. 목적
전원에서 방향에 따라 전압을 가해주었을 때 회로상에서 측정되는 전류와 전압값을 바탕으로
I-V curve, 다이오드를 이해하고 실제 전기회로를 설계함으로써 저항, 전류계, 전압계의 사용
법 및 특성을 알아본다.
2. 이론
① 반도체-p형, n형
Si 혹은 Ge와 같이 가전자 4개로 공유결합을 하고 있는 반도체이자 순수한 실리콘 결정체인
진성반도체는 전도대에 전자가 거의 존재하지 않기 때문에 전류가 거의 흐르지 않는 부도체에
가깝다. 이 진성반도체는 대부분 응용에 있어 필요한 전류를 만들 만큼 충분한 자유전자와 정
공이 없다. 도핑이란 이 결정체에 불순물 원자를 주입하여 자유원자나 정공의 수를 늘리는 것
을 말한다. 이렇게 도핑된 반도체를 외인성 반도체라 하며, 전기적 특성이 적은 농도가 존재
할 때도 과잉의 전자 또는 정공을 형성시키는 불순물에 의하여 결정된다. p형 외인성반도체와
n형 외인성반도체가 있다. ② p-n 접합
실리콘 결정에 반을 n형으로 나머지 반을 p형으로 도핑시켰을 때 pn접합이 형성된다. 이 소
자가 반도체 다이오드이다. n영역은 많은 자유전자를 갖고 p영역은 많은 정공을 가지게 된다. p-n접합은 다이오드 뿐만 아니라 트랜지스터와 다른 반도체소자 구성의 기본이 된다. ③ 공핍층(Depletion Layer)이란?
n형 반도체는 대부분이 자유전자로 구성되어 있으나 p형 반도체에는 전자가 거의 없다. 마찬
가지로 p형에는 대부분 정공으로 구성되어 있으나 n형에는 정공이 거의 없다.

참고 자료

물리학백과, 한국물리학회
위키피디아