트랜지스터 예비보고서

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목차

1. 기초이론
2. 실험방법

본문내용

1. 기초이론
(1) 트랜지스터
쌍극성 접합 트랜지스터는 우리가 보통 트랜지스터라고 말하는 소자로 p형 반도체와 n형 반도체 세 개를 교대로 접목시킨 구조로 NPN트랜지스터와 PNP트랜지스터가 있다. (이를 BJT라고 한다.)
(2) NPN트랜지스터
n형, p형, n형 순으로 접합한 구조이며 n형 반도체 중 하나에 연결된 단자를 컬렉터, 나머지 하나의 n형 반도체에 연결된 단자를 이미터라고 부르며 p형 반도체에 연결된 단자를 베이스라고 한다.
(3) 전류 증폭률
베이스와 이미터 간의 PN접합 다이오드는 일반적인 다이오드 역할을 하며 컬렉터와 이미터 간은 독특하게 종속 전류원 기능을 한다. 컬렉터 전류 는 베이스 전류 에 비례하여 = × 가 되고 를 전류 증폭률이라고 한다. 이미터 전류는 = (1 + ) 가 된다. (4) PNP트랜지스터 NPN트랜지스터와 반대 구조로 P형 반도체, N형 반도체, P형 반도체 순으로 접합되어 있다. 전 류의 방향과 전압의 극성 등도 NPN 트랜지스터의 반대이다.

참고 자료

없음