[전자회로실험] 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 예비보고서(A+)

소개글

"[전자회로실험] 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 예비보고서(A+)"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 실험 장비
4. PSpice 시뮬레이션

본문내용

[실험목적]
1. DMM을 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp, 단자, 재료를 결정한다.
2. 커브 트레이서를 사용하여 트랜지스터의 컬렉터 특성곡선을 그린다.
3. 트랜지스터의 와 값을 결정한다.

[이론]
쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어진다. 트랜지스터는 두 개의 n형 재료 층 사이에 하나의 p형 재료 층이 놓이거나(npn), 두 개의 p형 재료 층 사이에 하나의 n형 재료 층이 놓이는(pnp) 구조를 갖는다. 어느 경우에서나 중간층이 트랜지스터의 베이스를 형성하고 바깥 두 층이 트랜지스터의 컬렉터와 이미터를 형성한다. 이 구조가 인가되는 전압의 극성 그리고 전자 이동 또는 관습적인 전류 방향을 결정한다. 후자에 대해서 말하면, 트랜지스터의 형태에 관계없이 트랜지스터의 이미터 단자에 표시된 화살표는 관습적인 전류 흐름의 방향을 나타내므로 유용한 참고사항을 제공한다.(그림 8-2). 이 실험 과정에서 트랜지스터의 형태, 재료, 단자를 결정하는 방법을 보여줄 것이다.

참고 자료

없음