기초실험1 트랜지스터 예비보고서

목차

1.트랜지스터의 종류 및 동작원리
2. 트랜지스터의 스위칭회로의 동작
3. 트랜지스터가 증폭기로써 쓰일 때 트랜지스터의 동작원리
4. 실험방법

본문내용

실험 제목: 트랜지스터의 스위칭 특성과 전류 증폭기

1.트랜지스터의 종류 및 동작원리
트랜지스터는 3개의 반도체로 형성되어있다. 이 때 사용되는 반도체는 n형 반도체와 p형 반도체가 있다. n형 반도체는 불순물의 에너지 준위가 conduction band에 좀 더 가깝기 때문에 낮은 에너지로도 전자를 쉽게 conduction band로 보낼 수 있다. 그 결과 불순물은 양전하를 띠게 되고 이 때 불순물을 donor라고 한다. p형 반도체의 경우 불순물의 에너지 준위가 valence band에 더 가깝기 때문에 전자를 쉽게 받아들인다. 그 결과 불순물은 음전하를 띠고 이 불순물을 acceptor라고 한다. 전자가 나간 valence band에는 hole이 생기고 이 hole은 전하를 전달하는 역할을 한다.

참고 자료

없음