물리학실험 다이오드 Ⅰ실험
- 최초 등록일
- 2018.10.31
- 최종 저작일
- 2018.10
- 3페이지/ 한컴오피스
- 가격 1,000원
목차
Ⅰ. 실험결과
Ⅱ. 고찰
Ⅲ. 생각해보기
본문내용
Ⅱ. 고찰
이 실험은 p형 반도체와 n형 반도체를 이용하여 실험을 하는 것인데, 진성 반도체에 불순물을 첨가하여 n형, p형 반도체를 만든다. 불순물의 첨가하는 것을 도핑이라고 하는데, 3가 원소를 첨가한 것을 p형 반도체이라고 하고, 정공이 생긴다. 반면 5가 원소를 첨가한 것을 n형 반도체라고 하는데, n형 반도체는 자유전자가 생긴다.
첫 번째 실험은 다이오드를 가지고 실험을 한 것인데, 그래프를 보면 중간에 갑자기 급하게 올라간 그래프를 볼 수 있다. 그 이유는 다이오드의 p-n접합부분이 어느 정도 크기의 전압이 걸려야 전류가 흐르기 때문이다. 그리고 전압이 높아질수록 전류도 같이 높아지는 것을 볼 수 있다.
<중 략>
Ⅲ. 생각해보기
01 반도체의 전기적 특성에 대해 설명하라.
답 : 실리콘이나 게르마늄은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 수순한 상태의 실리콘이나 게르마늄은 진성 반도체라고 불린다. 진성반도체는 전류를 잘 흐르게 하지 못한다.
참고 자료
없음