실험 8예비 MOSFET 기본 특성 2

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험기기 및 부품목록
4. 예비실험
5. 실험 시뮬레이션
6. 보고서 작성

본문내용

실험 시뮬레이션
1) <그림 8.2>와 같이 회로를 구성한다. 이때 DVM(Digital Voltmeter)은 저항 측정 모드로 설정하여 ‘on' 저항을 직접 측정토록 한다. 게이트의 전압 를 변화시키면 on 저항이 변화함을 알 수 있게 된다. 저항 는 단순히 MOSFET의 게이트를 보호하기 위함이며 MOS의 게이트로 흐르는 DC 전류는 ’zero' 이기 때문에 의 양단에 인가되는 전압 역시 'zero'임을 알 수 있다.

■ 함수발생기를 의 원천으로 사용하는 경우 : 함수발생기(AFG3021B)로부터 DC output이 나오도록 조절해야 하지만 본 실험실의 장비는 DC를 공급할 수 없어 주파수를 조절하여 최소값이 되도록 한다. 또한 외부로 나가는 임피던스가 높도록 하기 위해 주파수 발생기에서 'Top Menu' → 화면의 ‘출력메뉴’ → 화면의 ‘로드임피던스’ → 화면의 ‘높은 임피던스’로 선택한다. 높은 임피던스로 설정하면 실제 출력 값을 전압을 화면상에 읽게 된다. 오른쪽 다이얼을 변화시키면 전압을 조절할 수 있게 된다. 또한 DC 공급을 위해 다음의 과정을 거쳐 설정한다.
화면 오른쪽 각종 함수 선택 메뉴 중 가장 하단의 ‘기타메뉴’ 선택 → ‘DC' 선택, 그 후 ’오프셋‘ 선택을 한 후 다이얼 또는 입력키를 사용하여 DC 전압을 조절한다. DC 전압은 + 값이어야 한다.

■ 전압발생기를 의 원천으로 사용하는 경우 : 전압발생기의 전압, 전류 컨트롤 knob(다이얼)을 모두 ‘zero'로 만든 다음 전류는 최대의 2/3 정도가 되도록 한다. 그리고 서서히 전압 다이얼을 높여서 전압으로 아래 회로 그림의 가 조절되도록 한다. 전압발생기의 전압 값을 오실로스코프로 측정하면 두 값들 간에 차이를 나타내어 전압발생기의 소수점 값은 크게 신뢰성이 없음을 알 수 있다.

2) NMOSFET
■ (=) 전압을 증가시켜 +5.0V가 되도록 한다. 즉시 DMM의 저항값을 읽는다. 유의할 것은 시간이 지남에 따라 저항 값이 변화함으로 측정자가 일정한 시간 간격(예를 들어 전압 공급 후 1초 또는 2초에 측정)을 정하여 저항 값을 읽는다. +5V의 경우 CD4007은 대량 200Ω ~ 1KΩ의 값을 나타낼 것이다. 이 값()을 기록한다.

참고 자료

없음