MPECVD 다이아몬드 박막의 표면 형상에 미치는 증착조건의 영향
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- 최초 등록일
- 2016.04.02
- 최종 저작일
- 1997.05
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 7권 / 5호
ㆍ저자명 : 최지환, 이세현, 이유기, 박정일, 이은아, 박광자, 박종완
한국어 초록
다이아몬드 형성에 미치는 MPECVD 증착조건에 관하여 연구하였다. 증착 실험 기판은 Si p-type (100)wafer를 사용하였으며 다이아몬드 박막은 다음과 같은 조건하에서 증착되었다. 메탄 농도:0.75%(3scm)-3%(12scm),산소 농도:0%-0.5%(2scm), 반응 압력:20torr-80torr, 반응 온도:600˚C-900˚C. 낮은 증착온도(600˚C)에서는 (100)의 우선성장면을 보였고 온도가 증가함에 따라 (100)과 (111)이 혼재된 cubo-octahedron이 형성되었고 900˚C에서는 (111)의 우선성장면을 가징 octahedron이 형성되었다. 산소가 첨가됨에 따라 높은 메탄농도에서도 양질의 다이아몬드가 형성되었다. 낮은 압력하(200torr)에서는 비정질탄소가, 높은 압력하(80torr)에서는 양질의 다이아몬드가 형성되었다.
참고 자료
없음
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