[사전보고서]쌍극성 접합 트랜지스터 특성(사전보고서)-pspice파형 첨부

소개글

기초전자회로실험(인터비젼)에서 8장.쌍극성 접합 트랜지스터 특성에 대한 사전보고서입니다.
실험목적, 이론, 실험 순서, pspice 파형과 결과, 참고자료까지 나와있는 레포트입니다.
이걸로 A+받았습니다. 많이 받아가셔서 A+ 받으세요~

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
5. 참고자료

본문내용

3. 사용기기 및 부품
계측장비
○ 곡선 추적기 (이용 가능한 경우)
○ DMM
실험부품
○ 저항 : 1㏀(1개), 330㏀(1개), 5㏀ 전위차계(1개), 1㏁ 전위차계(1개)
○ 트랜지스터 : 2N3904(1개), 단자가 동일하지 않은 트랜지스터(1개)
공급기
○ 직류전원 공급기
4. 실험순서
f. 단자를 반대로 하고 읽혀진 것을 기록하라.
g. 미터의 양의 리드를 단자 2에, 미터의 음의 리드를 단자 3에 연결하라.
h. 단자를 반대로 하고 읽혀진 것을 기록하라.
I. 두 단자 사이의 미터값은 미터단자가 연결된 극성 관계없이 높게 나타날 것이다. 이 두 단자 모두 베이스는 아니다.
j. 음의 리드를 베이스에 연결하고 양의 리드는 다른 두 단자중의 하나에 연결하라. 만약 미터의 기록이 낮다면(근사적으로 Si는 0.7V Ge는 0.3V거나 더 낮은 저항) 트랜지스터의 형태는 pnp; 순서 k(1)로 가라. 만약 기록이 높다면 트랜지스터의 형태는 npn; 단계 k(2)로 가라.
k. (1) pnp 형에 대하여, 음의 리드를 베이스 단자에 연결하고 양의 리드를 다른 두 단자중 의 하나에 각각 연결하라. 얻어진 두 개의 기록 중에 더 낮은 것이 베이스와 컬렉터 가 연결된 것을 나타낸다. 따라서 다른 단자가 에미터이다.
(2) npn 형에 대하여, 양의 리드를 베이스 단자에 연결하고 음의 리드를 다른 두 단자중의 하나에 연결하라. 얻어진 두 개의 기록 중에 더 낮은 것이 베이스와 컬렉터가 연결된 것을 나타낸다. 따라서 다른 단자가 에미터이다.
l. 순서k의 (1)과 (2)에서의 기록이 근사적으로 700mV면 트랜지스터의 재료는 실리콘이다. 기록이 근사적으로 300mV면 재료는 게르마늄이다. 만약 미터가 다이오드 테스팅 스케일이 없다면 재료는 직접적으로 결정할 수 없다.
2) 컬렉터 특성
a. 회로를 구성하라.

PSpice에 구현한 회로도.

참고 자료

○ 전자회로 7판 Thoms L. Floyd 지음
○ 기초전기전자공학 5판 김종수
○ 현대전자회로 장학신
○ 컬러로 배우는 전자회로 신윤기 지음
○ 마이크로전자회로 Sedra, Smith
○ 기초전자회로실험 남춘우