Czochralski method

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Czochralski method에 대한 PPT 자료 입니다.

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1885년 폴란드 태생
1900년 베를린으로 이주
1907년 AEG 근무
Czochralski
1916년 Cz method 개발
1929년 바르샤바 기술대학
1953년 사망
Czochralski
조 건
성장 공정은 1412℃ 이상 유지.
진공상태 필요.
단결정 성장장치는 안정적인 환경 조건을 유지.
Doping
도핑(doping)이란? 높은 전도성을 얻기 위해 의도적으로 불순물을 주입하는 과정
분리계수(segregation coefficient)이란?
K = Cs / C1
(Cs: 성장하는 결정에 존재하는 도펀트의 평형 농도
C1: 용융상내에 존재하는 도펀트의 평형농도)
N-Type : 5가 원소(P)Dopant
N type 반도체
Dopant
P type 반도체
P-Type : 3가 원소(B)Dopant
Dopant
Cz method
Cz method
Ingot
부 품
단결정 주괴
Wafer
crucible
단 점
IC, LSIIC(집적회로, Integrated Circuit) : 많은 전자회로 소자가 하나의 기판 위 또는 기판 자체에 분리가 불가능한 상태로 결합되어 있는 초소형 구조의 기능적인 복합적 전자소자 또는 시스템
LSI (고밀도집적회로, Large Scale Integrated Circuit) : 다수의 집적회로(IC)를 1장의 기판위에 상호배선하여 고차(高次)의 집적화한 것.
CPU (중앙처리장치, Central Processing Unit) : 명령어의 해석과 자료의 연산, 비교 등의 처리를 제어하는 컴퓨터 시스템의 핵심적인 장치.

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