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목차

개 요
1.서론
2. 상변화 기술이론
(2.1) 기본이론
(2.2) 상변화 기록 및 재생 원리
3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory)
(3.1) .PRAM(Phase change RAM),
(3.2) .PRAM Basic Operation
(3.3) PRAM (Writing)
(3.4) PRAM READ
(3.5) Key Technology of PRAM
4.국내외 기술개발 현황
5.해외 차세대 반도체 정보
6.결론
7.참고 문헌

본문내용

. 서론
정보기술의 급속한 발전으로 정보화 시대가 본격적으로 전개됨에 따라 개인,단체,공공기관,기업 등 사회 각 구성주체들의 정보소비량이 비약적으로 증가하고 있다. 이에 따라 문자,음성, 영상정보를 포함한 대용량 멀티미디어 정보를 고속 처리함은 물론 전원이 없는 상태에서도 PC 및 휴대용 정보기기에 이를 안정적으로 저장, 보관할 수 있는 저가격 ,저전력형 차세대 비휘발성 메모리에 대한 수용가 급증하고 있다.대상시장 규모는 메모리칩, 메모리/로직혼합칩의 형태로 기존 플래시 메모리 시장 및 DRAM 일부 응용영역의 대체와 함께 이를 형태로 기존 플래시 메모리 시장 및 DRAM 일부 응용영역의 대체 와 함께 이를 이용한 이동전화 ,PDA mobile PC 등 개인휴대용 정보기기에의 응용을 포함하여 직간접 효과만으로 막대한 산업 경제적 가치가 예상되므로 이에 대한 연구개발 경쟁이 전세계적으로 가속화 되고 있다.
현재 기존의 비휘발성 플래시 메모리가 갖는 높은 구동전압,느린 기록속도 및 재기록 횟수에서의 제한과 같은 성능상 열위를 개선하고 DRAM 급의 성능특성을 구현 할 수 있는 차세대용 유망 메모리로는 FeRAM,MRAM,PRAM이 제품화에서 선행하고 있지만 에칭공정이 용이치 않고 셀크기 감소에 따라 사발분그의 신호마진이 감소하므로 캐패시터를 소형화하기곤란한 DRAM과 같은 Scalability 에서의 난재를 안고 있다.MRAM은 TMR(Tunnelling Magnetoresistive)막의 특성 변화가 심하고 이웃하는 강자성 막간에 형성되는 미세 절연층의 균일하고 정밀한 두께제어가 어려워 수율이 떨어진다는 문제가 있다.차세대 비휘발성 메모리 기술의 하나로 최근 급부상한 메모리 -일명 OUM(Ovonic Unifed Memory) PRAM( RAM) ,또는 (Phase change RAM)으로 불림-는 비정질과 결정질 상태간에 광학적,전기적 스위칭 현상을

참고 자료

(1) 삼성전자 (Hongsik jeong) 자료
(2) 인터넷 과학신문 사이언스 타임즈
(3) 서울대 반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)