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10주차-실험21 예비 - 메모리 회로

꾸르
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최초 등록일
2020.10.02
최종 저작일
2015.03
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목차

1. 실험제목

2. 실험목적

3. 실험준비물

4. 예비과제
(1) ROM(Read Only Memory)의 일반적인 특징을 간단히 설명하여라.
(2) 256 X 16 ROM의 의미는 무엇인지 설명하라.
(3) RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라.
(4) Static RAM의 기본적인 구성방법과 그 사용방법을 설명하라.
(5) Dynamic RAM의 기본적인 구성방법과 그 사용방법을 설명하라.
(6) RAM 전원공급 차단시 데이터 값이 유지되지 않는 이유를 설명하라.

5. 실험
(1) <그림 21.8>를 결선하고, 아래의 실험을 하여 결과를 확인하라.
(2) 앞 단계에서 구성한 4X2 ROM을 <그림 21.9>와 같이 연결한 후, 아래의 실험을 하라.
(3) 다음의 <그림 21.10> 회로를 구성하고, 데이터 입력을 위하여 <그림 21.3>의 회로를 구성하라.
(4) <그림 21.12>와 같이 연결하라.
(5) 아래 회로를 구성하고, 데이터 스위치를 변화시켜가며, 출력상태를 기록하라.
(6) <그림 21.14>을 구성하고, 데이터 스위치를 변화시켜가며, 출력상태를 기록하라.
(7) <그림 21.15>를 구성하라.

6. 설계 및 고찰

본문내용

실험제목 : 메모리 회로

실험목적 : (1) ROM에 필요한 데이터를 반영구적으로 기억시키는 장치인 ROM Writer를 구성하여보고,
실험을 통해 원리를 이해한다.
(2) 메모리 어드레스를 이해한다.
(3) RAM에 데이터를 읽고 쓰기를 한다.

실험준비물
(1) 2716(EPROM)
(2) 54/7489
(3) 2114
(4) 74LS169, 7400, 7403, 7442, 7474
(5) 5P DIP sw
(6) 4RED LED’s
(7) 555
(8) 8p dip SW
(9) Capacitor 0.01uF, 0.47uF, 4.7uF, 1k, 10k, 1k array 저항 560, 5.6k, 1.8k, 390k
(10) Power supply, Oscilloscope, Function Generator

예비과제
(1) ROM(Read Only Memory)의 일반적인 특징을 간단히 설명하여라.
⇒ 쓰기 동작에 비해 읽기 동작이 훨씬 많은 응용 분야를 위해 설계된 반도체 메모리의 한 종류. 모든 ROM은 비휘발성이며 전력이 공급되지 않아도 데이터를 저장하고 있다.

(2) 256 X 16 ROM의 의미는 무엇인지 설명하라.
⇒ 4비트의 1024 워드로 구성된 4096비트 ROM(64 x 64 bits)

(3) RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라.
① Access Time
- 메모리 소자 동작속도의 측정치로서 읽기 동작을 수행하는데 필요한 시간.
② Cell 밀도
- 용량에 대한 또 다른 용어. 하나의 메모리 소자가 다른 메모리 소자에 비해 더 큰 밀도를 가진다는 것은 동일한 공간에 더 많은 비트를 저장할 수 있다는 것을 의미하며, 이는 좀 더 조밀하게 저장됨을 뜻한다.
③ 비트 당 비용 (Cost per bit)
- 접근 속도가 빠르면 비트 당 비용이 증가. 용량이 크면 비트 당 저장 비용이 낮음.

참고 자료

없음
꾸르
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