Epitaxial growth
- 최초 등록일
- 2007.09.12
- 최종 저작일
- 2007.05
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소개글
에피택시 성장에 대해 발표한 세미나 자료입니다.
당연히 A+ 자료이구요. 그림 하나하나 직접 정성껏 만든 자료입니다.
교수님께서 좋은 자료라고 칭찬하신 제가 봐도 잘 만든 ppt자료입니다.
유용하게 사용됐음 하네요~^^ 자료출처까지 모조리 그냥 다 냅뒀습니다.
이름만 알아서 삽입하시면 될것같네요~^^
에픽택셜 성장에 대한 내용입니다.
ppt자료여서 딱히 복사해서 보여줄수 없네요...ㅡㅡ;
일단 분량은 타이틀과 자료출처, 끝맺음말같은 쓸데없는 페이지 제외하고 31 page 이구요
제가 발표한 시간은 대략 30분정도였는데 간단히 설명하시면 15~20분 용입니다.
더 줄이고싶으시면 개인적으로 수정하시면 되구요.
목차
1. 에픽택셜 성장이란?
- Homo epitaxy
- Hetero epitaxy
2. 에픽택셜 성장을 하는 이유
3. 분류(기법)
- CVD
- MBE
- LPE
- VPE
- SPE
본문내용
Epitaxial growth ?
seed 위에 단결정층을 성장시키는 것.
성장하는 결정층은 기판과 같은 결정구조와 결정방향을 가짐.
기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행함.
Classification
CVD ( chemical vapor deposition, 화학기상증착 )
MBE ( molecular beam epitaxy, 분자선에피택시 )
LPE ( liquid phase epitaxy, 액상에피택시 )
VPE ( vapor phase epitaxy, 기상에피택시 )
SPE ( solid phase epitaxy, 고체상태에피택시 )
CVD
기체 상태의 혼합물을 가열된 기판 표면에서 반응시켜 생성물을
기판 표면에 증착시키는 기술
융점이 높아서 제조하기 어려운 재료를 융점보다 낮은 온도에서
용이하게 제조할 수 있음
현재 상업적으로 가장 많이 활용되고 있는 박막 제조 기술
IC의 생산공정에 있어서는 매우 중요한 단위 공정
참고 자료
- 도서 -
반도체 집적공정; 학술정보
반도체 공정기술; 생능출판사
Crystal growth Technology; William Andrew
- Web site -
http://www.naver.com
http://www.google.co.kr
http://www.icm.re.kr; 재료연구정보센터
http://www.ksia.or.kr; 한국반도체산업협회
http://www.iipp.or.kr; 한국반도체연구조합