LED의 재료와 제조공정에 대한 레포트

소개글

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목차

01 LED용 기판
02 LED 칩의 구조
03 LED 제조공정

본문내용

01 LED용 기판
LED 칩은 기판 위에 P형 및 N형의 화합물 반도체 층을 차례로 형성하여 만듬
기판과 화합물 반도체 층은 모두 단결정이어야 함
에피택시(epitaxy)

화합물 반도체 층을 형성 할 때 가장 큰 영향을 미치는 요소 ⇒ 격자 부정합
격자 부정합 → 결정결함으로 확대 → 비발광 재결합 → LED 광효율 떨어뜨림

화합물 반도체 층에 영향을 미치는 중요한 요소 ⇒ 열팽창계수
기판과 화합물 반도체 층의 열팽창 계수가 다르면 → 경계면에 균열 생성 → 결정결함 발생

사파이어 기판
LED용 기판 물질 중에서 가장 많이 사용
알루미나(Al2O3)를 용융성장시켜 만듬
초크랄스키(Czochralski)법

SiC 기판
SiC는 GaN과의 격자 부정합이 작고, 열전도 특성이 매우 우수
근자외선 영역 근처에서 광 손실 발생
다른 기판 물질에 비해 광추출 효율이 낮음
PVT(Physical Vapor Transport)법

GaN 기판
동종 에피택시 → LED 효율 4배 이상 개선
개발, 생산의 난이도가 극히 높다
사파이어 기판보다 100배 이상 비싸다
HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법

ZnO 기판
GaN과 결정구조가 같고 격자상수 비슷
고온에서 휘발성을 나타내는 특성 → 다른 기판 소재보다 낮은 온도에서 제조공정을 진행
수열(Hydrothermal)법

Si 기판
IC 제조에 핵심적인 소재
가격이 싸고, 10인치 이상의 기판도 손쉽게 만들 수 있다

GaN과의 격자 부정합, 열팽창계수의 차이가 크다
버퍼층(bufer layer)

참고 자료

없음