중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계

소개글

2024년, 4학년에 재학 중인 중앙대학교 전자전기공학부 학생입니다. 누구보다 학업에 진지하게 임하였기 때문에, 제 자료에 자부심이 있습니다. 현재 학점은 4.3XX이며, 저의 모든 자료에 대해 증빙할 수 있습니다.
전자회로설계실습 과목은 제가 저희 분반에서 유일하게 레포트 점수 만점을 획득하였습니다. 누구보다 시간을 많이 투자하여 정성스레 작성하였으니, 제 자료를 참고하여 좋은 결과 얻으셨으면 좋겠습니다. 감사합니다.
## 2023년 진행중인 실습책에 맞춰서 제작된 보고서입니다. 2022년부터 책이 약간 바뀌었기 때문에, 비대면 시절이 아닌 대면 시절의 보고서 입니다.

## 중요내용 및 주의사항의 경우 항상 형광펜 및 빨간 글씨로 표시해놓아, 편집하기 매우 쉽습니다. 또한, PDF 파일이 아닌 Word 파일로 올려서 여러분들의 마음에 들게 자체 수정하여 사용하시면 바람직할 것 같습니다.

목차

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본문내용

3.1 단일 Current Mirror 설계

그림1의 회로와 같이 Current Source에서 M_1, M_2로는 2N7000(Fairchild)을 이용하며 V_CC=V_DD=10V인 경우, I_REF=10mA인 전류원을 설계한다.
(A) 2N7000의 Data sheet로부터 (1/2) k_n^'(W/L)을 구한다. 사용한 수식 및 수치를 자세하게 적어서 제출한다. (Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current 이용)
Data sheet에서 V_th=2.1V, V_GS=4.5V, V_DS=10V일 때 I_D=600mA이다. I_D=(1/2) k_n^' (W/L)〖(V_GS-V_th)〗^2이므로 (1/2) k_n^' (W/L)=I_D/(V_GS-V_th )^2=0.6/(4.5-2.1)^2=0.104이다.

참고 자료

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