(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계

이봉추

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최초 등록일: 2023.02.12
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"(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계"에 대한 내용입니다.

본문내용

(C) 전류원으로 이용하기 위해서 M1은 Saturation 영역에서 동작해야 한다. 이때, M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하라. 이때, RL의 최댓값을 구하여라. RL값이 줄어들어도 상관없는지 설명하라.
M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위해선 VDS1이 VOV보다 크거나 같아야한다. M1의 Source는 ground에 접지되어있고 Drain에선 출력을 뽑아내고 있으므로 VDS1=VO이 VOV보다 크거나 같아야한다. 따라서 RL의 최댓값은 R_Lmax=(V_CC-V_OV)/I_O =956Ω이다. R¬L값이 줄어든다는 것은 drain에서의 전압이 커진다는 것이고, drain에서의 전압이 VCC를 넘지 않는 선까지 RL값을 줄여도 괜찮다.

참고 자료

없음

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