[high-k oxide] The interface between silicon and a high-k oxide

목차

Moore’s Law
고유전율 게이트 절연막에 요구되는 특성
Clean surface of silicon and Sr흡착에 의한 변화
Dangling bond
Si(001) 표면 위에 Sr 원자의 증착
Sr-passivated substrate 와 SrTiO3 사이의 interface
산화로 인한 계면의 변화
Oxygen chemical potential
Oxygen chemical potential
TiO2 layer 과 silicon 의 interface
Injection barrier
SrTiO3의 injection barrier

본문내용

SrTiO3과 silicon의 실험적 bandgap :
0.7-0.8eV
Interface A 에 대해 -0.6eV를 얻음
Interface A injection barrier : 0.1-0.2eV

Interface B 에 대해 0.5eV를 얻음
Interface B injection barrier : 1.2-1.3eV

Interface A 의 injection은 기술적으로 최소 필요치 이하이고 interface B는 기준( 1eV)를 달성하였다.

참고 자료

없음