반도체 기술인 샬로우정션(shallow junction)의 기술과 공정 및 문제점 해결방안

소개글

이온의 접합 층을 얇게 만드는 기술에 대하여 자세히 알아보았으며, 반도체공학이라는 학문에 좀 더 가까이 다가가기 위하여 Shallow junction의 기술과 공정 그리고 문제점 해결방안에 관하여 조사한 보고서입니다.

목차

I. 서론(Introduction)
part 1. 배경설명 (Explanation of backgrounds)
1. 주제 선정 배경
2. 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 구조
3. 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 동작원리

II. 본론(Body)
part 1. 기존 반도체소자의 제조공정과 한계
1. 반도체 제조공정
2. 기존 정션 반도체의 한계

part 2. 샬로우정션 기술 및 공정과 문제점의 해결
1. Shallow junction 핵심기술(보완된part)
2. 나노 크기 트랜지스터를 위한 샬로우정션 형성 공정
3. 샬로우정션의 문제점 및 해결방안 소개

part 3. 샬로우정션 관련 특허 정보 분석
III. 결론 및 특허제안(Conclusion & Suggest)
1. 결론
2. 특허제안

IV. 연습문제(Exercise)

part 1. Chapter 5 Exercise(문제수정 및 보완)

part 2. Chapter 6 Exercise(문제수정 및 보완)

part 3. Chapter 9 Exercise(문제수정 및 보완)

IV. 참고문헌(References)

본문내용

device직접에 따르는 숏채널 현상을 억제하기위하여 최소 허용 채널 길이를 감소시키기 위해서는 접합깊이, 게이트 산화막 두께, 그리고 소스/드레인 영역의 공핍층 넓이를 감소시켜야 한다. 이러한 여러 변수 중에서 무엇보다 소스/드레인 영역을 고농도로 도핑 시켜서 접합 깊이를 감소시키는 것이 최소 허용 길이를 감소시키는데 가장 효과적이다. 현재 0.35㎛ gate의 경우 0.2㎛ 이하의 접합 깊이를 필요로 하고 있으나 향후 0.1㎛ gate 길이에서는 700옴스트롱 이하의 접합 깊이를 필요로 할 것으로 예측되고 있다. 따라서 우리 조는, 이렇게 날이 갈수록 점점 미세화 되는 반도체 소자에서 필수불가결한 기술인 얕은 접합(shallow junction) 즉, 이온의 접합 층을 얇게 만드는 기술에 대하여 자세히 알아보고 연구하여, 반도체공학이라는 학문에 좀 더 가까이 다가가기 위하여 Shallow junction을 우리 조의 연구 주제로 삼았다.

최근 눈부신 전자공업의 발전으로 인해 반도체 소자의 고집적화, 저전력화, 고속화가 필수적인 요소가 되었다. 그 결과, 최근에는 MOSFET소자의 가장 중요한 공정 변수인 게이트 (gate) 길이를 0.1 ㎛ 이하로 줄인 nanoscale MOSFET 의 구현을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 소자의게이트 길이가 작아지게 되면 이로 인한 단채널 효과 (SCE: Short Channel Effect)가심해지게 되는데 이를 극복하기 위해 공정단계에서는 얇은 두께의 게이트 산화막, 기존 산화막의 한계를 극복하는 고유전율 (high-k) 게이트 절연막, 얕은 소스(source)/드레인 (drain) 접합 등을 구현하기 위한 연구가 진행되고 있다. 우리는 nanoscale MOSFET 의 구현을 위한 여러가지 기반기술 중 sidewall 패터닝 기술을 이용한 초미세 게이트 라인의 형성, RTO (Rapid Thermal Oxidation)를 이용한 얇은 두께의 게이트 산화막의 구현의 두 가지 기술을 집중 조사 & 연구해 보았다.

참고 자료

[1]관련논문검색: http://www.dbpia.com
http://www.riss4u.net/index.jsp
http://www.ndsl.kr

[2]관련용어검색: http://www.wikipedia.org/
http://blog.naver.com/ksmpatent?Redirect=Log&logNo=80014366140

[2]기존공정관련: http://kin.naver.com (검색)
http://www.paralight.co.kr/tech_info/m2.html
http://www.cnu.ac.kr/~dpkim/data/data2_31.ppt
http://www.wnano.co.kr/korean/files/______________.pdf

[3]샬로우정션관련: http://www.google.co.kr/ (웹검색)
http://nanet.empas.com/search/nanet.html?wv=53&i=611056707&q=%B1%C7%BB%F3%C1%F7&f=C&e=1&bo=0
http://ncml.kaist.ac.kr/CBE473_ch05.ppt
http://www.stanford.edu/class/ee311/NOTES/ShallowJunctions.pdf
http://www.semiconductor.net/article/CA6545177.html

[4]특 허 조 사: http://www.wips.co.kr/
http://www.kipris.or.kr/
http://www.kipi.or.kr/

[6]참 고 서 적: "반도체소자공학“ ROBERT F.PIERRT 출판사: 교보문고
"반도체 소자 공정기술" 지은이 QuirkㆍSerda ㅣ 최성재
"반도체 제대로 이해하기" 강구창 지음 | 지성사
"반도체공정개론" RICHARD C.JAEGER 지음 | 이상렬 외 옮김 | 교보문고
"반도체 집적 공정" 곽계달 외 지음 | 학술정보

[7]기 타: http://www.yeskisti.net/