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Ion implantation (반도체)

스시몬
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최초 등록일
2023.05.30
최종 저작일
2023.02
43페이지/파일확장자 어도비 PDF
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목차

1. Introduction
2. Ion range
3. implantation profiles
4. ion channeling
5. ion implantation-induced damage
6. annealing behavior of the damage
7. process consideration
8. comparison with diffusion

본문내용

* What is implantation?
- A process by which dopant ions having high kinetic energies are introduced into a semiconductor to change its concentration and conductivity type.
- kinetic energy : 50~500KeV

Advantages
- Selective doping of surface region

참고 자료

없음
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