MOSFET 차동증폭기 예비레포트

목차

1. 실험제목
2. 실험목표
3. 실험장비 및 부품
4. 기초이론
5. PSpice 시뮬레이션
6. 실험 이론 값
7. 참고문헌

본문내용

1. 실험제목
MOSFET 차동 증폭기

2. 실험목표
MOSFET 차동 증폭기의 기본 이론을 이해하고 SPICE 시뮬레이션과 실험을 통해 그 동작과 특성을 확인한다.

3. 실험장비 및 부품
장비: DC 전원공급기, 멀티미터, 함수발생기, 오실로스코프
부품: MOSFET(2N7000), 저항(3kΩ, 5kΩ, 10kΩ)

5. PSpice 시뮬레이션
MOSFET 차동 증폭기
드레인 전압 V_D1, V_D2= 7.644V, 7.644V
드레인 전류 I_D1, I_D2 = 785.4uA, 785.4uA
→동일하게 바이어스 되어 있고 드레인 전류와 드레인 전압이 동일하다.
2. 차동신호의 동작을 확인하기 위해 한쪽 입력에는 진폭 +10mV 다른 쪽 입력에는 -10mV 신호를 인가한다. 양쪽 드레인 전압 및 전류 파형을 확인한다.
출력전압 및 전류가 차동신호로 동작하는가? 전압이득은?
차동신호로 동작한다. 차동 입력전압= 20mV, 차동 출력전압= 1.36V
전압이득 = 68
4. 앞선 시뮬레이션과 동일한 차동 입력신호를 싱글엔드 형식으로 인가할 수 있다. 싱글엔드 입력신호를 인가한 상태에서 시간 영역 시뮬레이션을 다시 수행하고, 출력전압과 전류 신호를 확인한다.

참고 자료

Behzad Razavi, Microelectronics(2th edition), Wiley(2015), Chapter ‘MOSFET’