(A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 논리회로실험 결과보고서7

소개글

"(A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 논리회로실험 결과보고서7"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 과정 및 결과
3. 고찰

본문내용

2) 고찰
- RAM은 ‘Random Access Memory'의 약자로서 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리이며 기억장치로서 널리 쓰인다. 전원이 끊어지면 휘발유처럼 기록된 정보도 날아가기 때문에 휘발성 메모리(Volatile Memory)라고도 한다. 이번 실험에선 2-bit RAM을 구성해보고 이를 통해 RAM의 동작 원리를 이해하였다.
NAND gate(7400, 7403) 3개를 이용하여 2-bit RAM을 구성하였다. 7403 NAND gate는 7400 NAND gate와 달 리 오픈 콜렉터 소자이기 때문에 10kΩ 짜리 풀업 저항을 연결하여 출력이 안정적이게 측정될 수 있도록 하였다. Open Collector란 여러 개의 장치를 하나의 연결선으로 연결하여 양방향 통신할 수 있도록 하는 회로의 테크닉이 다. BJT에서 Collector 핀에 아무것도 연결되어 있지 않을 때에 해당하며, MOSFET의 경우엔 Open-drain이라고 일 컫는다.
왼쪽의 MOSFET에서, Input에 High신호가 들어와 트랜지스터가 on이 되면 Output은 접지와 연결되어 Low신호가 출력이 된다. 반대로 Input에 Low신호가 들어와 트랜지스터가 off가 되면 Output은 어떤 것에도 연결되지 않고 붕 뜨는 floating 상태가 된다. 이 때 상태를 높은 저항을 갖고 있다 하여 High impedance(High-Z)라고 하기도 한다. 분석은 회로가 끊어진 것으로 한다.

참고 자료

없음