전자회로 보고서 - 트랜지스터의 동작

소개글

트랜지스터의 동작(BJT) 보고서입니다. isspice를 이용한 시물레이션 내용이 담겨있습니다.

목차

1.배경이론
2.시뮬레이션
3.고찰
4.결론
5. 참고문헌

본문내용

배경이론
BJT 구조
트랜지스터는 3개의 반도체소자를 접합해서 만들어진다. 크게 NPN과 PNP형이 있다. BJT에서 가운데 반도체는 다른 두 반도체에 비해 얇게 만들어진다. 이 가운데의 얇은 반도체를 베이스라고 부르고 접합된 한 면은 컬렉터, 다른 면은 에미터라고 부른다. 이때 베이스와 컬렉터는 무늬만 도핑, 즉 아주 적은 양의 불순물만 넣어준다. 에미터는 일반적으로 사용하는 만큼의 충분한 양의 도핑을 한다.
『1』

트랜지스터 동작
트랜지스터는 에미터와 베이스는 순방향, 베이스와 컬렉터는 역방향으로 연결한다. NPN을 기준으로 먼저 에미터와 베이스에서 일어나는 일을 살펴보면 순방향 전압이기 떄문에 전류가 흐른다. 에미터의 있는 다수캐리어인 전자가 베이스 영역으로 넘어가게 된다. 그다음 베이스와 컬렉터에서 일어나는 일을 보면, 베이스에는 많은 전자가 있는 상황이다. 베이스와 컬렉터의 도핑농도는 높지 않기 때문에 공핍영역이 넓게 형성되지 않는다. 그래서 충분한 전압을 받으면 베이스에 있는 전자가 컬렉터쪽으로 넘어갈 수 있고 전류가 흐르게 된다. 이때 에미터에서 온 전류 전부가 다 컬렉터로 가는 것은 아니고 일부는 베이스를 통해 빠져나가는 전류가 있다. 따라서 다음과 같은 식이 나온게 된다.
I_E = I_C + I_B
베이스에는 에미터에서 넘어온 전자뿐 아니라 베이스 자체의 소수캐리어인 전자도 존재한다. 이 때문에 베이스에서 컬렉터로 흐르는 전류는 소수캐리어에 의한 전류도 고려해야 한다.
I_C = I_(C_majority )+ I_(C_minority )
PNP형은 전류의 방향이 반대로 나올뿐 해석방법은 같다.

Common Base 회로
트렌지스터와 전원을 인가할 때 접지를 베이스 기준으로 하는 것을 공통 베이스 회로라고 한다. 트랜지스터는 기본적으로 특성 곡선을 입력, 출력 2가지를 얻을 수 있고, 3가지 변수를 동시에 표현하게 된다..

참고 자료

정보통신기술용어해설.”트랜지스터”.
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=2972