[반도체공학] GAN소자와 EPC9065키트 분석 [대본포함]

소개글

"[반도체공학] GAN소자와 EPC9065키트 분석 [대본포함]"에 대한 내용입니다.

목차

Ⅰ. What is GaN
Ⅱ. EPC9065

본문내용

우선 겐소자에 대해 언급하기에 앞서 무어의 법칙에 대해서 말씀 드려야 될 것 습니다.
무어의 법칙이란 반도체 집적회로의 밀도가 가격 변동 없이 18개월마다 2배로 늘어난다는 법칙입니다. 간단히 말해 날이갈수록 크기는 작아지고 그만큼 성능도 좋아진다는 것입니다.
그림을 보시면 알 수 있듯이 그러한 발전에 따라, 진공관에서 트랜지스터 ic까지 점점 소형화를 향해 발전해왔고 이전 단계의 반도체 재료인 실리콘에서 최근 새로운 고성능 반도체 재료인 질화갈륨 즉 gan을 사용한 소자가 급 부상하고 있습니다.

겐소자란 와이드 밴드갭과 고온 안정성 등 재료적인 특성으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자를 말합니다.

이러한 겐은 와이드 밴드 갭(Eg=3.4eV)특성으로 인하여 고 전력밀도, 높은 항복전압을 갖는 전력 반도체 소자 제작에 적합합니다.

참고 자료

없음

압축파일 내 파일목록

대본.hwp
epc9065 발표자료.ppt