소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기 실험

소개글

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목차

1. 실험 개요(목적)

2. 실험원리 학습실
1) MOSFET 요약
2) 소신호 드레인 공통 MOSFET교류 증폭기(CD – AMPLIFIER)
3) 소신호 게이트 공통 MOSFET교류 증폭기(CG – AMPLIFIER)

3. 시뮬레이션 학습실
1) 공통 게이트 증가형 MOSFET 교류증폭기
2) 공통 드레인 증가형 MOSFET 교류증폭기

4. 검토 및 고찰

본문내용

16.1 실험 개요(목적)
소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고, 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 교류증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 실험적으로 분석한다.

※ 이번 실험에서 JFET은 다루지 않으므로 JFET 대신 MOSFET에 대한 원리와 이론 내용을 알아보도록 하겠다.

16.2 실험원리 학습실
MOSFET 요약
MOSFET은 Source와 Drain 사이의 전자 이동 통로인 채널(Channel) 형성을 위해 금속(Metal)의 게이트 전압차를 조절하여 스위치(On/Off) 역할을 수행한다. 이때 게이트 금속에 있는 전자가 하단 기판으로 누설되는 것을 막기 위해 산화물(Oxide) 절연체가 게이트와 기판 사이에 위치해 있다.

증가형 E-MOSFET : 채널이 없는 공백 상태에서 채널을 서서히 증가시켜 를 키우는 MOSFET이며, 상대적으로 공핍형보다 저렴하므로 현재 가장 많이 사용되고 있다. 증가형은 에 보다 큰 (+) 전압을 인가하면 채널 영역에 N형 반전층이 형성되어가 흐르게 된다.

참고 자료

없음