16장 소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류증폭기

목차

1. 실험개요
2. 이론요약
3. 실험재료
4. 실험 순서
5. 실험 개요
6. 실험 데이터
7. 결과분석 및 결론

본문내용

◎실험개요
- 소신호 드레인 공통 및 게이트 공통 FET 교류 증폭기의 동작원리를 이해하고, 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 교류증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 실험적으로 분석한다.

◎이론요약
- 드레인 및 게이트 공통 FET 교류증폭기 해석
(1) 공핍형 MOSFET(D-MOSFET)
드레인 공통(CD) 교류증폭기는 컬렉터 공통(CC) 바이폴라 교류증폭기와 유사하며, 소스전압이 입력게이트 전압과 같고 위상이 동상이기 때문에 흔히 소스 플로어라고 부른다.
그림 16-1은 자기 바이어스 된 드레인 공통 JFET 교류증폭기를 도시하였다. 입력신호는 결합 커패시터를 통해서 게이트에 공급되고 소스단자에서 출련전압을 얻으며 드레인 저항은 없는 구조이다.

(2) 소신호 드레인 공통 교류증폭기 해석
① 직류해석
소신호 드레인 공통 교류 증폭기를 해석하기 위해서는 먼저 직류 바이어스 값을 구해야한다. 이를 위해 증폭기 회로 내에 있는 모든 커패시터를 개방시킨 후 얻어지는 직류등가회로를 해석해야 한다.
그림 16-2에 드레인 공통 JFET 교류증폭기에 대한 직류등가회로 형성과정을 도시하였다.

참고 자료

없음