진공증착레포트

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본문내용

2. LPCVD(Low Pressure CVD)
저압에서 박막을 증착하는 방법으로, 저압에서는 반응기체의 이동이 원활해지는 점을 이용한 것입니다. 이로 인하여 APCVD보다 반응 가스의 소비가 줄어든다는 장점이 있습니다.
- 0.2 – 2.0 torr, 300 C - 900 C에서 동작
- 필름의 순도가 높고 균일하다
- 증착률이 낮고, 높은 온도가 단점
3. PECVD(Plasma enhanced CVD)
플라즈마를 이용한 CVD방법으로, 플라즈마내에 있는 라디칼(radical)을 반응시키게 됩니다. 플라즈마에서 생성된 라디칼은 에너지측면으로 보았을 때 굉장히 불안정하여, 활성화에너지 장벽을 쉽게 뛰어넘을 정도로 에너지가 들떠있기 때문에, 웨이퍼와의 반응이 쉬워 쉽게 증착됩니다. 이로 인해 저온(450도)에서도 반응이 가능하기 때문에 알루미늄같이 녹는점이 낮은 물질이 증착되어 있는 경우에는, APCVD와 LPCVD와 같은 방법은 800도 이상의 고온에서 진행되므로 알루미늄이 녹게 되어 사용할 수 없고 PECVD를 이용한 증착을 이용합니다.
하지만 PECVD는, 플라즈마 형성 시에 생성된 수소 라디칼도 존재하고, 저온에서 진행하기 때문에 원자들이 안정한 site에 배열하지 못하기 때문에 박막의 Quality가 매우 떨어지게 됩니다.

참고 자료

- https://allgo77.tistory.com/62
http://blog.daum.net/widerock1/13384511
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=ozakey1&logNo=150081145473
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=cjw7174&logNo=221413342087&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.com%2F
https://m.blog.naver.com/youngdisplay/220490827926
https://marriott.tistory.com/77?category=338838