MOSFET 증폭기 아날로그 실험 결과 레포트 (A+)

소개글

A+맞은 MOS 증폭기 아날로그 실험 레포트 입니다.
MOSFET 동작영역 설명, small signal model, common gate 증폭기, square law에 관하여 설명해놓았습니다.

목차

1. MOSFET의 동작 영역은 어떤 것들이 있고 어떻게 정의 되는지 조사하시오.
2. Saturation영역과 triode 영역에서의 drain 전류를 수식으로 표현할 때 “square-law”라는 수식으로 모델링 할 수 있다. square-law가 무엇인지 조사하고 모델 파라메터중 channel length modulation coefficient는 무엇을 의미하는지에 대해서 논하시오.
3. MOSFET 의 small-signal model에 대해 조사하고 common-gate 증폭기의 gain을 small-signal model을 이용하여 구하시오.
4. 실습내용 1-1과 1-3을 PSPICE simulation을 통하여 수행하고 simulation값을 이용하여 1-2를 계산으로 구하시오.
5. 실습내용 2-1의 값을 구하고 이를 이용해 2-2, 2-3와 2-4를 PSPICE simulation을 통하여 수행하시오.

본문내용

Ⅰ.예비 레포트
1.MOSFET의 동작 영역은 어떤 것들이 있고 어떻게 정의 되는지 조사하시오.
MOSFET의 동작영역은 게이트의 전압에 따라 off모드와 (triod모드 or saturation모드)로 동작한다.
다시 드레인 전압에 의해 triod와 saturation으로 구분한다. 정리하자면 off, triode, saturation
3가지이다.

Off 모드-차단영역은 게이트의 전압이 문턱전압보다 작은 상태이다. MOSFET이 동작하지 않는 상태이기 때문에, VDS전압을 아무리 높여 주어도 ID는 흐르지 못한다.

Triod 모드 - Triod 영역은 게이트의 전압은 문턱전압의 이상을 가지고 있다. 드레인 전류는 게이트 전압(VGS)와 드레인 전압(VDS) 모두에 의해 영향을 받는다.

Saturation 모드- 게이트의 전압은 문턱전압보다 큰 값을 갖는다. 이 영역에서 ID는 드레인 전압에 무관하고 게이트 전압에만 영향을 받는다. 포화영역에 들어서면 드레인 전압(VDS)이 증가하더라도 ID는 일정해진다.

참고 자료

없음