[전력전자] 전력 전자 소자의 종류

소개글

전력 전자에서 사용되고 있는 주요 소자들에 대한 소개를 담고 있다.
전력 전자나 전자 회로를 공부하는 분들에게 좋은 참고 자료가 될것 이다.

목차

1. SIT (Static Induction Transistor : 정전 유도형 트랜지스터)
2. RCT (Reverse Conducting Thyristors : 역도통 다이리스터)
3. SIFH (Static Induction Thyristor : 정전유도 다이리스터)
4. LASCR (Sight Activated Silicon Controlled Rectifiers : 광실리콘 제어정류기)
5. FET-CTH (FET-Controlled Thyristor : FET 제어 다이리스터)
6. SCR (Silicon Controlled Rectifier : 실리콘 제어정류기)
7. SSR (Solid State Relay : 무접점 릴레이, 반도체 릴레이, 고체상 릴레이)
8. 트라이액 (Triac)
9. GTO (Gate Tuun Off Thyrister)
10. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transister : 절연 게이트 양극 트랜지스터)
11. IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor : 통합 게이트 정류 사이리스터)
12. PUT (Programmable Unijunction Transistor : 프로그램 가능한 단일접합 트랜지스트)
13. 트랜지스터 (Transistor)
14. BJT (Bipolar Junction Transistor)
15. JFET (Junction Field Effect Transistor : 전계효과 트랜지스터)
16. MOSFET (MOS Field Effect Transistor)
17. *FET와 BJT의 차이점*

본문내용

SIT (Static Induction Transistor : 정전 유도형 트랜지 스터)
SIT는 대전력, 고주파소자로서 본질적으로 3극진공관을 반도체화한 것이다. 이것은 짧은 멀티채널을 가진 수직구조의 소자이다. 따라서 구연제한을 받지 않으며 고속, 대적류동작에 알맞다. 게이트전극은 드레인과 소스의 n-애피텍 셜층에 묻혀 있다. SIT는 수직구조이고 게이트가 묻힌 구조인 것을 제외하 면 접합형 FET(JFET)와 같으며 채널저항이 낮은 게이트-소스간 커패시턴스, 작은 열저항을 갖는다. 그것은 낮은 잡음, 낮은 왜곡, 높은 오디오 주파 수, 전력처리능력을 갖고 있다. 턴온과 턴오프시간은 매우 작아서 대략 0.25us이다. 온상태의 전압강하는 높아서 180A 소자일 때 대략 90V이고, 18A, 소자일 때 18V정도이다. SIT는 상시 온 소자이고 부게이트전압이 오프상태로 유지신킨다. 상시온 특성과 높은 온상태전압강하가 일반적으로 전 력변환에 대한 응용을 제한시킨다. SIT의 전류의 정격은 300A, 1200A까지 이고, 스위칭속도는 100kHz정도이다. 따라서 대전력 고주파응용(즉, 오디오, VHF/UHF, 마이크로웨이브 앰프)에 가장 알맞다.

RCT (Reverse Conducting Thyristors : 역도통 다이리 스터)
많은 초퍼나 인버터회로에서 SCR 양단에 역병렬 연결되는 다이오드는 유도성 부하로 인한 역전류를 흐르게 하고 전류회로의 터오프조건을 향상시키 는 역할을 한다. 이 다이오드는 전상상태조건에서 SCR의 역차단전압을 1또 는 2V로 클램프시킨다. 그러나 과도상태에서는 소자내의 회로표유인던턴스에 유도된 전압으로 인하여 역전압이 30V로 상승하게 된다. 따라서 역도통 다이리스터는 소자특성과 회로조건을 절충시켜 주는 소자로서 다이리스터 역병렬다이오드를 부착하여 충족시켜주고 있다. 이러한 RCT를 비대칭 다이 리스터 (ASCR : asymmetrical thyristor)라고도 한다. 순방향 차단전압은 400~2000V까지 변화하며, 전류정격은 500A까지 가능하다. 역차단전압은 일반적으로 30V~40V이다.

참고 자료

없음