접합다이오드 예비보고서

소개글

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목차

1. 실험목적

2. 실험 이론
1) 반도체
2) 다이오드의 극성
3) 접합 다이오드의 원리

3. 실험 방법

4. 예상 결과

5. 참고문헌

본문내용

1. 실험목적

① - 접합 다이오드의 극성을 판별한다.
② - 접합 다이오드의 동작 특성을 이해한다.
③ - 접합 다이오드의 전압-전류특성을 측정한다.

2. 실험 이론

1) 반도체

반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간 정도에 있는 전자 재료를 말한다. 반도체 소자의 예로는 트랜지스터, 접합 다이오드, 제너 다이오드, 터널 다이오드, 집적 회로, 금속 정류기 등을 들 수 있다. 반도체 소자는 많은 제어 기능을 수행하며, 증폭기, 정류기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 이용될 수 있다. 반도체가 지닌 장점들은 다음과 같다.

(1) 반도체는 온도, 습도 등의 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하다.
(2) 반도체는 전력 소비가 작고, 열의 방사가 작다. 반도체는 예열 시간이 필요 없으므로 전력을 인 가하면 바로 동작한다.

요즈음 대부분의 반도체 소자는 게르마늄(Ge)보다 열에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 실 리콘은 반도체 물질로 사용되기 전에 아주 고순도로 정제되어야 하며, 이런 반도체는 전기 전도도가 매 우 낮다. 즉 비저항이 크다. 실리콘의 전기 전도도는 미량의 특정 ‘불순물(impurity)’을 첨가함으로써 증 가될 수 있다. 불순물의 종류와 양을 제어해서 첨가하는 것을 도핑(doping)이라고 하며, 도핑은 반도체 원소의 원자 내 전자 결합 구조를 변화시켜 전류에 기여하는 캐리어(carrier)를 제공함으로써 반도체의 전기 전도도를 증가시킨다.
비소(As)나 안티몬(Sb)같은 불순물들은 음전하(negative charge)를 띤 캐리어, 즉 자유 전자의 수를 증가시킴으로써 실리콘의 전기 전도도를 증가시킨다. 이러한 이유로 As나 Sb으로 도핑한 실리콘을 N형 실리콘이라 한다. N형 실리콘에도 정전하인 정공이 존재하기는 하지만 그 수는 미미하기 때문에 소수 캐리어라 한다. N형 실리콘에서의 전류의 흐름은 다수 캐리어인 자유 전자의 흐름에 기인한 것으로 간 주한다.

참고 자료

대학전자회로 실험 / 신인철·어진우·최진규·이승훈 지음