설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 전자회로설계실습 예비보고서 중앙대

소개글

"설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 전자회로설계실습 예비보고서 중앙대"에 대한 내용입니다.

목차

1. 목적
2. 준비물 및 유의사항
3. 설계실습 계획서

본문내용

1. 목적
MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet 를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.

2. 준비물 및 유의사항
DC Power Supply(2channel) : 1 대
Digital Multimeter (이하 DMM) 1 대
40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4 개
40cm 잭-집게 연결선 (검정) 4 개
Breadboard (빵판) 1 개
점퍼 와이어 키트 1 개
MOSFET : 2N7000 1 개
저항 1KΩ1/2W(점퍼선대채가능) 1 개

3. 설계실습 계획서
3.1 MOSFET 의 특성 parameter 계산
(A) Data Sheet 를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet 에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V 인 경우, gm의 값을 구하여라.

참고 자료

없음