중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정
- 최초 등록일
- 2024.03.05
- 최종 저작일
- 2023.03
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소개글
2024년, 4학년에 재학 중인 중앙대학교 전자전기공학부 학생입니다. 누구보다 학업에 진지하게 임하였기 때문에, 제 자료에 자부심이 있습니다. 현재 학점은 4.3XX이며, 저의 모든 자료에 대해 증빙할 수 있습니다.
전자회로설계실습 과목은 제가 저희 분반에서 유일하게 레포트 점수 만점을 획득하였습니다. 누구보다 시간을 많이 투자하여 정성스레 작성하였으니, 제 자료를 참고하여 좋은 결과 얻으셨으면 좋겠습니다. 감사합니다.
## 2023년 진행중인 실습책에 맞춰서 제작된 보고서입니다. 2022년부터 책이 약간 바뀌었기 때문에, 비대면 시절이 아닌 대면 시절의 보고서 입니다.
## 중요내용 및 주의사항의 경우 항상 형광펜 및 빨간 글씨로 표시해놓아, 편집하기 매우 쉽습니다. 또한, PDF 파일이 아닌 Word 파일로 올려서 여러분들의 마음에 들게 자체 수정하여 사용하시면 바람직할 것 같습니다.
목차
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본문내용
3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
(A) Data Sheet를 이용하여 V_T, k_n을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) k_n을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 k_n을 이용하여 V_ov=0.6V인 경우, g_m의 값을 구하여라.
K_n=I_d/(V_GS-V_t)/V_(DS(ON))이고, V_t=V_(GS(th))=2.1V(typical value)이다. 또한 I_max=200mA인 영역에서 실험하므로 I_D=75mA인 값에서 V_(DS(ON))의 typical value는 0.14V이다.
참고 자료
없음