MOSFET 전기적 특성 CS 증폭기

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"MOSFET 전기적 특성 CS 증폭기"에 대한 내용입니다.

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2. 고찰
오늘 실험에서 Gate 바이어스와 주파수에 따른 Capacitance값을 측정했다. 1KHz 전후로 그래프의 모양이 조금 달랐다. 0.4V까지 모든 주파수에서 전압이 감소하다 그 이후에 1KHz 이하의 주파수 그래프는 다시 크게 증가했지만 1KHz 이상의 주파수 그래프들은 거의 일정하거나 소폭 증가했다. 그 이유는 높은 주파수에서는 소수캐리어가 채널을 형성되는데 충분한 시간이 없어서 채널을 형성하기 전에 바이어스의 전위가 바뀌어서 공핍층만 존재하게 되고 이는 계속해서 Capacitance가 감소하지 못하고 최저 값을 유지하게 되기 때문이다.

<중 략>

4. 실험제목 : MOSFET 공통 소스 증폭기
5. 예비이론 :
MOSFET 증폭기는 동작 측면이 BJT 증폭기와 유사하고 BJT 증폭기에 비해 입력저항이 매우 커서, 증폭단 사이 신호전달이 보다 효율적이다.

참고 자료

http://web.yonsei.ac.kr/hgjung/Lectures/ENE301/6%20FET%20%EC%A6%9D%ED%8F%AD%EA%B8%B0.pdf
https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/mosfet-amplifier.html

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