반도체 다이오드, 제너다이오드, 에미터접지트랜지스터의 특성실험

목차

1. 보고서 (요약)
2. 실험1. 반도체 다이오드의 특성실험
3. 실험 2. 제너 다이오드의 특성실험
4. 실험 3. 에미터 접지 트랜지스터의 특성 실험

본문내용

Diode의 전압-전류 특성 곡선에서 Si / Ge Diode의 차이점은?
Si 와 Ge의 무릎전압이 틀립니다. Ge의 경우 0.3~0.4V에 머무는 반면 Si의 경우 0.6~0.7V 정도가 됩니다.
이는 그래프를 통해 확인이 가능합니다.

Diode에 정격 전류이상의 전류를 흘렸을 때 Diode는 어떻게 되는가 ?
Diode의 무릎전압 값이 유지되고 전류는 계속해서 상승합니다.

Diode 전류를 정격 전류 이하로 제한하기 위해 어떻게 해야 하나 ?
평상시 작동할 때의 전류이기 때문에 제한할 이유가 없고, 교체를 하면 됩니다. 다만, 다이오드에 역방향 전압과 항복전압과 사이의 전압을 걸어주면 어느 정도 유지가 됩니다.

<중 략>

제너다이오드가 항복 영역에서 안정적으로 동작하기 위해 직렬 저항의 값을 어떻게 결정하여야 하는가 ?
아무리 제너다이오드라도 너무 높은 전류를 흘려주면 절연내력이 타버리게 됩니다. 직렬 저항은 전체회로에서 30mA가 넘게 흐르지 않도록 해주어야만 합니다.

부하전압이 제너전압보다 낮다면 그 이유는 무엇인가 ?
병렬연결임에도 불구하고 서로의 전압이 다르다는 것은 있을 수 없는 일입니다. 따라서 제너다이오드의 고장을 의미합니다.

<중 략>

Tr switch와 전류원을 비교 설명하라.
트랜지스터란 인위로 전기적인 힘을 가하여 전자가 흐를 수 있는 통로를 열거나 닫을 수 있는 스위치입니다. 이 통로를 일정수준으로 제한함으로써 전류원을 만듭니다. 전류원과 다른 점이라면 트랜지스터는 증폭기를 만들 수 있고, 스위치기능이 존재하기 때문에, 논리회로와 기억소자를 만들 수 있습니다.

참고 자료

없음