접합 FET의 특성 실험 절연 게이트 FET의 특성 실험 사이리스터의 특성 실험

소개글

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목차

1. 보고서 (요약)
2. 실험1. 반도체 다이오드의 특성실험
3. 실험2. 제너 다이오드의 특성실험
4. 실험3. 에미터 접지 트랜지스터의 특성 실험

본문내용

실험1. 반도체 다이오드의 특성실험
탐구활동
.Diode의 전압-전류 특성 곡선에서 Si / Ge Diode의 차이점은?
Si 와 Ge의 무릎전압이 틀립니다. Ge의 경우 0.3~0.4V에 머무는 반면 Si의 경우 0.6~0.7V 정도가 됩니다. 이는 그래프를 통해 확인이 가능합니다.

.Diode에 정격 전류이상의 전류를 흘렸을 때 Diode는 어떻게 되는가 ?
Diode의 무릎전압 값이 유지되고 전류는 계속해서 상승합니다.

.Diode 전류를 정격 전류 이하로 제한하기 위해 어떻게 해야 하나 ?
평상시 작동할 때의 전류이기 때문에 제한할 이유가 없고, 교체를 하면 됩니다. 다만, 다이오드에 역방향 전압과 항복전압과 사이의 전압을 걸어주면 어느 정도 유지가 됩니다.

.Diode에 역방향 항복 전압 이상을 가하게 되면 Diode내부에 어떠한 형상이 일어나 항복에 이르게 되나 ?
절연 내력이 파괴되어 전류가 흐르지 않습니다.
즉, 일정한 V를 넣어주면 R이 파괴됩니다.

.각종 Diode의 용도를 설명하라.

참고 자료

없음