CNT와Graphene이용

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Key Point

- Graphene 층 만들기

투명전극용 재료로서 자주 응용되는 ITO(Indium Tin Oxide)는 높은 전도도 및 우수한 광투과도를 지니지만 구부릴 경우 쉽게 크랙(crack)이 생기는 등의 고유의 기계적인 결점도 함께 지니고 있다. 또한 인듐의 소비량이 증가함에 따라 계속적으로 가격이 높아지고 있어 대체 물질의 개발이 시급한 상황이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 새로운 투명전극으로 개발된 예로서 탄소나노튜브를 들 수 있다. 이러한 탄소나노튜브를 소재로 한 투명전극은 기존의 액정표시소자(LCD)뿐만 아니라 유기발광 표시소자(OLED), 전자 종이 표시 소자(Electronic Paper Like Display), 또는 태양 전지(Solar Cell) 등의 다양한 소자에 응용될 수 있다. 그러나 이와 같은 탄소나노튜브는 직경 및 카이랄성(Chirality)에 따라 금속 및 반도체 특성이 달라지고, 다른 밴드갭을 갖기 때문에 정제를 통한 분리가 필요하지만 기술적 및 경제적으로 어려운 실정이다.

그래핀 필름을 대면적으로 용이하게 제조하여 이러한 그래핀 필름의 전사, 패터닝, 에칭 등의 공정을 이용하여 대면적 그래핀 투명 전극을 용이하게 제조하는 방법을 개발하여 본 발명을 완성하였다. 이에, 본원은, 화학 기상 증착법에 의하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 이용하여, 상기 그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는 그래핀 투명 전극, 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.

그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는, 그래핀 투명 전극을 제공한다. 상기 그래핀 필름은 화학 기상 증착법에 의하여 제조되는 대면적 그래핀 필름을 이용할 수 있다.

그래핀은 전기적, 기계적, 화학적인 특성이 매우 안정적이고 뛰어날 뿐 아니라 우수한 전도성 물질로서 실리콘보다 100 배 빠르게 전자를 이동시키며 구리보다도 약 100 배 가량 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있다. 또한, 그래핀은 상대적으로 가벼운 원소인 탄소만으로 이루어져 1차원 또는 2차원 나노패턴을 가공하기가 매우 용이하다는 장점이 있으며, 이를 활용하면 그래핀의 반도체-도체

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