BJT_FET

소개글

전력전자(전자공학) 발표 프리젠테이션이구요 레포트 점스 a++ 받은 자료입니다 이름만 바꾸시고 제출하시면됩니다. 자료 보시면 만족하실 겁니다.

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본문내용

BJT
BJT(Bipolar Junction Transister)
1948년 Schokley, Brattain, Bardeen 에 의해 발명
Base 전류로 Collector 전류를 제어하는 전류제어 소자
Carrier 입장에서 보면 전자와 정공을 모두 이용하여 전류를 생성하는 소자 쌍극성 소자(bipolar device)라고 부름
증폭작용은 다수 캐리어가 낮은 저항 회로에서 높은 저항 회로로 전달됨으로써 이루어짐
*
구조 : PN 다이오드를 샌드위치 형태로 붙여서 만든 모양으로
Outline
BJT(Bipolar Junction Transister)
정의
종류
동작
동작특성
동작영역
FET(Field-Effect transistor)
정의 및 종류
JFET
MOSFET
EMOSFET
DMOSFET
BJT와 FET비교
BJT 종류
종류
npn형
종류
pnp형
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일반적으로 베이스의 폭은 전자의 확산 거리 (diffusion length) 보다 작게 만든다. 에미터는 베이스 영역의 소수 캐리어인 전자를 베이스를 거쳐 콜렉터쪽으로 방출하는 역할을 하며 콜렉터는 에미터에서 넘어온 베이스 영역의 소수캐리어인 전자를 받아들이는 역할을 한다
Emitter: 불순물을 많이 첨가(doping)
Base: 불순물을 적게 첨가, 폭을 매우 좁게
Collector: 불순물을 중간 정도 첨가, 폭을 매우 넓게
BJT 동작
Collector 와 Emitter 단자를 흐르는 전류는 Base 전류에 의하여 결정 Base 전류를 제어함에 의하여 동작
BJT를 동작시키기 위해서는 B-E간과 B-C간에 어떤 전압을 가해주느냐에 따라 동작모드가 결정
BJT 접지방식
공통이미터(CE: Common-emitter)
B-E: VBB(순방향 바이어스 전압)
C-E: VCC(역방향 바이어스 전압)
Bais: 입력, Collecter: 출력
특징
전압 증폭도가 크다
입력과 출력전압의 위상이 반대로 나타난다
BJT 동작특성
활성영역 (Active Resion) : VBE (순방향), VCB (역방향)
차단영역 (Cutoff Resion) : VBE (역방향), VCB (역방향)
포화영역 (Saturation Resion) : VBE (순방향), VCB (순방향)

참고 자료

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