Lab 3-4 CMOS 논리회로 시뮬레이션

소개글

Lab 3-4 CMOS 논리회로 시뮬레이션

목차

1. LAb 3-4-1 NAND 게이트의 스위칭 포인트 Vsp 전압 시뮬레이션
2. Lab 3-4-2 NAND 게이트의 지연시간 시뮬레이션
3. Lab 3-4-3 NAND 게이트의 논리동작 시뮬레이션
4. Lab 3-4-4 D F-F 시뮬레이션
5. Lab 3-4-5 2진 down counter의 시뮬레이션
◎비고 및 고찰

본문내용

1. LAb 3-4-1 NAND 게이트의 스위칭 포인트 Vsp 전압 시뮬레이션
.option post
.inc mos3.lib
* voltage *
vdd vdd gnd dc 5
vin in gnd
* circuit *
m0 out in vdd vdd pehn w=4.8u l=0.8u
m1 out in vdd vdd pehn w=4.8u l=0.8u
m2 out in 1 gnd nehn w=1.6u l=0.8u
m3 1 in gnd gnd nehn w=1.6u l=0.8u
.dc vin 0 5 0.1
.end


2개의 그래프가 만나는 지점이 스위칭 포인트이고 인버터의 VTC 특성보다는 조금 큰 값
으로 3.13V의 값이 나왔다.



2. Lab 3-4-2 NAND 게이트의 지연시간 시뮬레이션
.option post
.inc mos3.lib
*voltage*
vdd vdd gnd dc 5
va a gnd pulse (0 5 0 10n 1n 1n 20n 40n)
*circuit*
m0 out a vdd vdd pehn w=4.8u l=0.8u
m1 out a vdd vdd pehn w=4.8u l=0.8u
m2 out a 1 gnd nehn w=1.6u l=0.8u
m3 1 a gnd gnd nehn w=1.6u l=0.8u

C0 out gnd 0.01e-12

.tran 0.1n 40n
.end

참고 자료

내머리