다이오드 정류회로

소개글

전자회로 1 실험중 다이오드 정류회로입니다. 만점자료입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 내용, 방법
(1) 반파 정류 회로(half-wave rectifier)
(2) 전파 정류 회로(bridge rectifier)
(3) 최대 전압 정류 회로(peak rectifier)
(4) 추가 실험 : 최대 전압 정류 회로에서의 부하저항 R과 캐패시턴스 C값의 변화에 따른
출력 파형의 변화

3. 실험 결과
(1) 반파 정류회로(half-wave rectifier)
(2) 전파 정류회로(bridge rectifier)
(3) 최대 전압 정류회로(peak rectifier)
(4) 추가 실험

4. 토의
(1) 반파 정류회로(half-wave rectifier)
(2) 전파 정류회로(bridge rectifier)
(3) 최대 전압 정류회로(peak rectifier)
(4) 추가 실험

5. Reference

본문내용

1. 실험목적
다이오드의 기본 특성에 관한 실험을 통해 다이오드의 전압-전류 특성을 알아보았다. 이러한 다이오드의 특성을 이용한 대표적인 예가 정류 회로(rectifier circuits)이다.
본 실험에서는 다이오드를 사용한 세 가지 정류회로를 설계하여 특성을 분석하고 원리를 이해한다.
2. 실험내용, 방법
(1) 반파 정류 회로(half-wave rectifier)
위의 회로는 예비보고서에 첨부했던 실험 전에 미리 만들어보았던 회로이다. 저항은 100KΩ이고 power source는 약 8V peak-to-peak으로 설계하였었다.
그리고 위의 오실로스코프 파형은 위의 회로를 Multisim v8.0을 이용해 시뮬레이션해본 출력 파형이다.
시뮬레이션 시에는 예상하는 이론적인 다이오드의 전압 강하(약 0.6V)를 얻어내기 위해 저항과 source의 진폭을 조절했기 때문에 위와 같은 회로를 만들어볼 수 있었다.

(2) 전파 정류 회로(bridge rectifier)
위의 회로는 예비보고서에 첨부했던 미리 만들어본 회로이다. 그리고
위의 출력파형은 역시 예비보고서에 첨부했던 위의 회로를 Multisim v8.0을 이용해 시뮬레이션해본 결과이다.
(3) 최대 전압 정류 회로(peak rectifier)
아래의 회로는 예비보고서에 첨부했던 실험 전에 만들어봤던 회로이다.
그리고 아래의 출력 파형은 역시 예비보고서에 첨부했던 Multisim v8.0으로 시뮬레이션해본 결과이다.
리플 전압 Vr을 2V로 설계하기 위해 시뮬레이션 시에는 130nF의 캐패시터와 100KΩ의 저항을 사용하여 시뮬레이션 한 결과이다.
(4) 추가 실험: 최대 전압 정류 회로에서의 부하저항 R과 캐패시턴스 C값의 변화에 따른
출력 파형의 변화

참고 자료

(1) Microelectronic Circuits Fifth Edition Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith
(2) http://www.us.oup.com/us/companion.websites/0195142519/
(3) Multisim 8, detailed report of IN4004