다이오드 정류회로 결과보고서

목차

1. 개요
2. 실험기기
3. 실험결과
4. 고찰

본문내용

1. 개요
간단한 다이오드 정류 회로를 구성하여 보고 그 특성을 측정함으로써 반파정류회로와 브릿지 회로에 의한 전파정류회로에서 다이오드의 정류 동작을 이해한다. 또한 커패시터 필터의 평활화 특성을 실험적으로 확인하고 출력전압 특성과 연계하여 회로를 설계하는 간단한 예를 실습을 통하여 습득한다.

2. 실험기기
테스터, 오실로스코프, 함수발생기, 만능기판, 만능기판용 전선, 스트리퍼, 니퍼, 다이오드(30V, 1A 2개, 다이오드 브릿지 1A, 변압기 100/10V 30VA 1개, 전해 커패시터 330μF(25V 이상) 3개, 저항 1000Ω(5W) 2개, 1kΩ 2개

3. 실험결과
정류회로
(1) 그림 1의 회로를 만능기판 상에 결선하라. 부하 저항은 100Ω으로 한다.
(2) 플러그를 꽂고 전원스위치를 올린 다음 부하단에 나타나는 출력 전압 파형을 오실로스코프로 관측한다. 예상대로의 파형이 나타나면 파형을 기록하고 테스터로 출력전압을 측정하고 기록한다.

예상 파형 측정 파형

44.592V Vrms = 1.6V, Vpp = 3.44V

함수 발생기 전압에 비해 저항에 걸리는 전압은 다이오드의 부하 전압을 뺀 값이 나왔다.

(3) 위의 회로에서 출력단에 330µF의 커패시터 필터를 삽입하고 3 항을 반복한다-
예상 회로 및 파형 측정 회로 및 파형

116.387V Vrms = 1.78V, Vpp = 640mV

함수발생기의 전압은 10V를 인가해주었고, 오실로스코프의 Ch1을 함수발생기, Ch2를 저항에 연결하였다. 커패시터를 병렬 연결함으로서 리플이 발생되었다.

(4) 커패시터를 병렬로 접속, 660µF, 990µF로 증가시켜 가며 3 항을 반복한다.

예상 회로 및 파형 측정 회로 및 파형
660µF

127.276V Vrms = 1.67V, Vpp = 320mV
990µF

132.24V Vrms = 1.67V, Vpp = 240mV
함수발생기의 전압은 10V를 인가해주었고, 오실로스코프의 Ch1을 함수발생기, Ch2를 저항에 연결하였다. 커패시터의 값이 커질수록, Vpp가 감소하는 것을 확인할 수 있었다

참고 자료

없음