[FeRAM]FeRAM

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최초 등록일: 2005.06.22
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Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자이다. DRAM과 다른 점은 강유전체(Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리라는 점이다. 현재는 비접촉 IC 카드, MP3 플레이어용 메모리 등의 제한된 분야에 응용되고 있다. 그러나 본질적으로 DRAM수준의 고속성을 가지면서도 Hard disk와 같은 비휘발성을 겸비하고 있어, 향후 모든 기억소자에 응용될 수 있는 ‘이상적인 기억소자(Universal Memory)’에 가장 근접한 메모리라 할 수 있다.
DRAM 및 static RAM (SRAM)과 같은 메모리소자는 대개 휘발성메모리 형태로 사용되고 있으며 이들 메모리소자의 기억된 데이터는 전원이 끊어지면 소멸된다. 이와 반대로, 데이터 기록이 된 후 전원이 끊어지더라도 정보가 사라지지 않는 메모리소자가 있으며 이를 비휘발성 메모리라고 부른다.

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